ハイニックスとＳＴマイクロ、中国の合弁メモリ製造工場を落成
ハイニックスとＳＴマイクロエレクトロニクスが中国の合弁メモリ製造工場を落成
中国の最大ウェハー工場でコスト効率に優れた製造を行い世界で最も急成長中の市場へのアクセスを確保
ＳＴマイクロエレクトロニクス（ＮＹＳＥ：ＳＴＭ、以下ＳＴ）とハイニックス・セミコンダクタ（Ｂｌｏｏｍｂｅｒｇ： ０００６６０ ＫＳ、以下ハイニックス）は、中国の江蘇省（Ｊｉａｎｇｓｕ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ）無錫（Ｗｕｘｉ Ｃｉｔｙ）にある両社合弁の前工程工場の正式落成を発表しました。落成式は、中国国内の政府ならびに地方自治体関係者の列席のもと執り行われました。
最新鋭設備を擁する新工場では、ＮＡＮＤフラッシュおよびＤＲＡＭメモリの生産を予定しています。これにより両社は、規模の経済性、急成長中の中国市場への利便性、プロセスおよび製品開発面の補完により、大きなメリットを享受することになります。無錫工場の稼動により、ＳＴは、ＮＡＮＤフラッシュ市場における優位性を強化すると同時に、高性能かつコスト競争力に優れたＦｌａｓｈメモリとのスタック用ＤＲＡＭチップを供給します。また、新工場により、ハイニックスの３００ｍｍ製造能力が拡大され、急成長中の中国半導体市場でのリーディング・ポジションが強化されます。市場調査会社であるｉＳｕｐｐｌｉの最新データによるとハイニックスは現在、中国のＤＲＡＭ売上において、市場シェア約４７％を有し、第１位の企業となっています。ハイニックスにとって無錫工場は、米国オレゴン州ユージーンの工場に次ぐグローバル生産拠点となります。
両社は、２００５年４月に無錫工場の建設に着工しました。５５万ｍ２の敷地に２万ｍ２のクリーンルームを建設し、２００６年７月から１０月にかけて２００ｍｍおよび３００ｍｍの製造ラインが稼動開始しました。現在、ＤＲＡＭ製品の製造は、２００ｍｍラインでは９０ｎｍおよび１１０ｎｍ、３００ｍｍラインでは８０ｎｍプロセス技術を用いて行われています。２００７年中旬には、最先端技術を用いたＤＲＡＭ製造に加え、ＮＡＮＤフラッシュメモリの製造ラインも稼動開始予定です。現在、２００ｍｍラインでは、月産５万枚、３００ｍｍラインでは月産１万８千枚のウェハを生産中です。同工場における製品およびメモリ容量の生産比率は、市況に応じて変更する予定です。
本合弁企業の２０億ドルの資本は、ＳＴが３分の１、ハイニックスが３分の２での割合でそれぞれ株を保有し、また、中国地域機構およびＳＴの融資パッケージにより構成されています。
本合弁企業は、約２千人の従業員を擁し、その大半は現地で採用されています。無錫は、上海近郊に位置し、高度技術を有する労働者に富み、インフラストラクチャも充実した地域です。
ＳＴマイクロエレクトロニクスの社長兼ＣＥＯであるＣａｒｌｏ Ｂｏｚｏｔｔｉは次のようにコメントしました。「本合弁企業は、韓国と欧州企業間では最大規模の合弁企業といえるでしょう。
本合弁企業により、両社はスケール面、補完面ともに大きな利益を得ることになります。
確実にコスト競争力に優れたＤＲＡＭ、および共同開発のＮＡＮＤ製品および技術により、パッケージ・レベル集積（ＰＬＩ：Ｐａｃｋａｇｅ Ｌｅｖｅｌ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）におけるＳＴのリーディング・ポジションがさらに強化されます。１つのパッケージに複数のメモリ・チップを積層するＰＬＩ技術により、中国ならびに世界中の顧客は、信頼性の高いメモリ容量および製品を使用することができ、同時に携帯機器およびコンスーマ、産業用アプリケーションのスペース削減も実現できることとなります。」
ＳＴマイクロエレクトロニクスの上級副社長兼メモリ製品グループのジェネラル・マネージャであるＭａｒｉｏ Ｌｉｃｃｉａｒｄｅｌｌｏは次のようにコメントしました。「２００５年には、携帯電話、デジタル・カメラ、ポータブル・オーディオ・プレーヤ等の機器におけるストレージへの需要が急騰し、ＮＡＮＤフラッシュ市場は半導体産業史上最大の成長を遂げました。我々は、６０ｎｍ のＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ－Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ） およびＭＬＣ （Ｍｕｌｔｉ－Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ） ＮＡＮＤ技術を使った３００ｍｍウェハ製造の開始、および５５ｎｍ以降への移行により、高性能かつコスト競争力に優れたメモリ・ソリューションを求める携帯機器やデジタル・コンスーマ機器市場のニーズに対応し、この急成長市場に貢献していきます。」
ハイニックス・セミコンダクターの社長兼ＣＥＯである禹義濟（Ｗｏｏ， Ｅｕｉ－Ｊｅｉ）は次のようにコメントしました。「ＳＴとの協業および、無錫市のサポート無くして、無錫工場の完成は実現し得ませんでした。本合弁企業を通じて築かれた、無錫市、ＳＴ、ハイニックスの協業関係がさらに強化され、また新工場が両社の長期的成長に貢献すると信じています。無錫工場がハイニックスにとってグローバルなメモリ・メーカーとしての確固たる礎となると期待しています。」
ハイニックス・セミコンダクターの戦略シニアＶＰ兼Ｈｙｎｉｘ－ＳＴ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｔｄ． の会長であるＯ． Ｃ． Ｋｗｏｎは次のようにコメントしました。「ハイニックスは、無錫工場の完成により、韓国、米国、中国を網羅するグローバルな製造ネットワークを確立しました。本合弁企業はハイニックスの長期的な競争力の基盤となるでしょう。」
市場調査会社のｉＳｕｐｐｌｉによると、今年、ＤＲＡＭ市場は売上３０９億ドル、２４．４％の成長、またＮＡＮＤフラッシュ市場は、売上１２６億ドル、１７．６％の成長が見込まれています。
中国は世界で最も急速な成長を遂げている半導体市場であり、現在世界で１５％の市場シェアを有しています。中国市場は、２００８年までに世界半導体市場の４分の１以上を占める世界最大の市場になると予測されています。
ハイニックス・セミコンダクターについて
ハイニックス セミコンダクター（ＨＳＩ）は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）およびフラッシュメモリを世界中の顧客に提供する世界トップクラスのメモリ製品サプライヤです。ハイニックスの株式は韓国証券取引所に上場されており、グローバル預託証券はルクセンブルグ証券取引所に上場しています。ハイニックスに関するさらに詳しい情報はhttp://www.hynix.comをご覧ください。
ＳＴマイクロエレクトロニクスについて
ＳＴマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品やソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。ＳＴは、他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、幅広いＩＰ（Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ）ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力との組合わせにより、ＳｏＣ（システム－オン－チップ）技術に関し世界的リーダーとしての地位を確立しています。またＳＴの半導体製品は、市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目を果たしています。ＳＴは、ニューヨーク証券取引所（ＮＹＳＥ：ＳＴＭ）、パリ証券取引所（Ｅｕｒｏｎｅｘｔ Ｐａｒｉｓ）とミラノ証券取引所に上場されています。
２００５年の売上は８８．８億ドルで、純利益は２億６６００万ドルでした。
さらに詳しい情報はＳＴのホームページをご覧ください。
ＳＴ日本法人：http://www.st-japan.co.jp
ＳＴグループ（英語）：http://www.st.com