松下とルネサステクノロジ、次世代４５ｎｍシステムＬＳＩプロセス開発で協業
システムＬＳＩプロセス開発の協業を４５ｎｍへ拡大
－ 最新の液浸ＡｒＦ技術を適用したフルインテグレーションに着手 －
松下電器産業株式会社（本社：大阪府門真市、代表取締役社長：大坪 文雄）と株式会社ルネサス テクノロジ（本社：東京都千代田区、会長＆ＣＥＯ：伊藤 達）は、１９９８年よりプロセス技術の共同開発を継続してきましたが、２００５年１０月より第五次として次世代の４５ｎｍシステムＬＳＩプロセスについても共同開発に着手しました。この度、４５ｎｍシステムＬＳＩ用としては業界初の開口率（ＮＡ）が１以上の液浸ＡｒＦスキャナー（注１）を導入し、フルインテグレーション（注２）に着手したことで本格的な生産技術開発の段階に入りました。
両社は、ルネサス テクノロジ設立以前の１９９８年に次世代システムＬＳＩ技術の共同開発に合意し、２００１年に１３０ｎｍ ＤＲＡＭ混載プロセス、２００２年に９０ｎｍシステムＬＳＩプロセス、２００４年に９０ｎｍ ＤＲＡＭ混載プロセス、２００５年に６５ｎｍシステムＬＳＩプロセスをそれぞれ開発完了し、着実に開発成果を上げてきました。
今回共同開発する４５ｎｍ システムＬＳＩ用プロセスは、両社の最先端モバイルやデジタル家電用のシステムＬＳＩに適用されるものです。この中で最新の液浸ＡｒＦリソグラフィー技術は、ロジック用として業界で初めて開口率（ＮＡ）が１を越えるものです。更に、このリソグラフィー技術以外にも、歪導入高移動度トランジスタ（注３）やＥＬＫ（Ｋ＝２．４）多層配線モジュール（注４）の開発など最新技術の導入を進めております。
今後、両社は従来の技術の蓄積と今回の成果及び信頼関係をベースに、開発リソースの分担、技術情報の共有により、効率的な先端技術の開発を行い、２００７年度中頃の開発完了、２００８年度の量産開始を目指して、協業を進めてまいります。
（注１）投影レンズとウェハ間を液体で満たしてレンズ径を大きくして解像度を高める技術
（注２）要素モジュール毎の製造ではなく、すべてのウエハプロセスを一貫して製造すること
（注３）局所的なストレスをトランジスタに導入して電流駆動能力を高める技術
（注４）比誘電率の小さい層間絶縁膜を用いた多層銅配線技術
以 上