ＴＤＫ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラＬＳＩ（ＧＢＤｒｉｖｅｒ ＲＡ６）を発売
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラＬＳＩ（ＧＢＤｒｉｖｅｒ（Ｒ）ＲＡ６シリーズ）を商品化
最新のフラッシュメモリに対応、セキュリティ機能強化、さらにＨＤＤ代替用途としての信頼性向上
ＴＤＫ株式会社（社長：上釜 健宏）は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラＬＳＩ（ＧＢＤｒｉｖｅｒ（Ｒ） ＲＡ６）を開発、１２月より発売を開始いたします。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、微細化の進展による急速な大容量化に伴い、メモリセル構造および機能変化が激しく、世代間の互換性がとりにくくなっております。こうした課題を解決すべく、本製品は従来のＮＡＮＤ型フラッシュメモリと互換性を保ちながら、最新フラッシュメモリ（Ｔｗｏ－Ｐｌａｎｅ書き込みフラッシュメモリ）の制御にも対応し、８ＧｂｉｔまでのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを最大８個（８ＧＢｙｔｅ）まで制御することができます。
さらに本製品は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの管理手法を改良し、メモリに対して偏った書き込みを行った場合でも、書き込みがＮＡＮＤフラッシュの一部分に集中しにくくなっていますので、ＮＡＮＤ型フラッシュを複数使用し大容量化させ、ＨＤＤの代替用途としてご使用になる場合にも信頼性が高まっております。また最大転送速度３３．３ＭＢｙｔｅ／ｓのＵｌｔｒａＤＭＡ Ｍｏｄｅ２に対応し、最新のフラッシュメモリを業界最高レベルのスピードで制御することが可能です。
【主な用途】
民生、産業用のあらゆる組み込み機器・ＩＴ機器のＯＳ、ファイルシステム、ユーザデータ等のストレージを主用途として、ハイブリッドＰＣ等のシリコンディスクシステム、ＰＣＭＣＩＡ ＡＴＡカード等も見込んでおります。
【主な特長】
１．対応フラッシュメモリ
最新のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（Ｔｗｏ－Ｐｌａｎｅ書き込みフラッシュメモリ）に対応。
新規参入を含む、各フラッシュメモリベンダーの１２８Ｍｂｉｔ～８Ｇｂｉｔまでのフラッシュメモリに対応。組み込み用でのＯＳ格納用等の小容量タイプから、音楽およびビデオ情報のストリーミングなどの大容量タイプまで、幅広い用途に対応。
２．充実した信頼性制御
本コントローラでは、後発性不良ブロックに対する予備領域を大きく確保するとともに、コントローラ内のブロック制御機構を改良し、先天性不良ブロックなどが集中発生したフラッシュメモリでも使用可能なアドレス制御機構を実装いたしました。
３．電源遮断耐性を強化
書き込み中の電源遮断時に書き込み対象データ以外のデータが破壊されるなどの、巻き添えエラー発生を完全に阻止します。
４．高速Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ
ホストインタフェースのＵｌｔｒａＤＭＡ対応、フラッシュメモリ制御方式の変更により、バースト書き込みで２３ＭＢｙｔｅ／ｓ（１５０倍速相当）、ホストへの読み出し性能も２４ＭＢｙｔｅ／ｓ（１６０倍速相当）を実現。ホスト側の書き込みコントロールを最適化することで、安定した転送レートで書き込み動作を行うことが可能です。
５．エラー訂正・修復
４シンボル（４０ビット）／１セクタのＥＣＣ機能を装備。最新のＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用した場合に問題になるビット誤り現象に対して、ＥＣＣ機能を強化するとともに、オートリカバリ機能装備により、読み出し時にコントローラ内部で自動
的にエラーを修復します。
６．その他の機能
・全セクタ数設定機能（クリッピング機能）
データ領域に割り当てる物理ブロックの数を減らす事でフラッシュメモリの書き換え可能回数を延長する事が可能となります。
・プロテクト機能
ＡＴＡ標準のプロテクト機能を搭載しており、お客様でパスワードの設定・解除が可能ですので、大切なデータを保全できます。
・スマートコマンド対応
スマートコマンドを使用してフラッシュメモリの使用状況や不良ブロックの発生状況が容易に管理できます。
７．ソリューションサポート
ＴＤＫでは、２０００年よりＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラＧＢＤｒｉｖｅｒＲシリーズを自社開発、販売しており、特に組み込み市場において強く求められるＦＡＥ体制や信頼性モニター機能の実装サポートなど、国内、国外のカスタマーに対して、自社技術に基づく技術サポートを行っております。
【生産・販売計画】
●サンプル価格 ： ２，０００円／個
●生産拠点 ： 日本
●生産能力 ： １０万個／月（予定）
●生産開始 ： ２００６年１２月より
※ＧＢＤｒｉｖｅｒＲは、ＴＤＫ株式会社の登録商標です。
以 上