三洋半導体、書き込み速度を高めたＳＰＩ ＮＯＲ型シリアルフラッシュメモリーを開発
ＳＰＩ ＮＯＲ型フラッシュとして従来比５倍の書き込み速度を実現
ＳＰＩ ＮＯＲ型シリアルフラッシュメモリの開発
製品名：ＬＥ２５ＦＷ８０６／８０８
サンプル出荷：２００７年５月末
生産計画：２００７年１２月より １０万個／月
サンプル価格：２００円
製品名：ＬＥ２５ＦＷ１６０６／１６０８
サンプル出荷：２００７年６月末
生産計画：２００７年１２月より １０万個／月
サンプル価格：３００円
三洋半導体株式会社はこのほど、独自の高速ライトモード技術を搭載することによりＮＯＲ型シリアルインターフェースのフラッシュメモリとして世界最速＊１のページ書き込みを実現する８Ｍｂｉｔ（ＬＥ２５ＦＷ８０６／８０８）および１６Ｍｂｉｔ（ＬＥ２５ＦＷ１６０６／１６０８）のＳＰＩシリアルフラッシュメモリを開発しました。
本製品は従来のプログラム方法を変えることなく、より短時間でデータの書き換えが可能です。これにより、ハードディスクドライブや光ディスクドライブ、プリンタ、ＡＶ製品、各種モジュール機器などのファームウエア格納用途、小容量データ格納用途などでの使用において、ユーザーデータの書き換えの高速化、および、ソフトウエア書き込み工程の合理化、製品のプログラムバージョンアップの短時間化が可能となります。
当社は、ビジョン「Ｔｈｉｎｋ ＧＡＩＡ」のもと、快適空間をつくり出す機器開発を支え、環境保全に貢献する半導体製品を提案してまいります。
＊１：２００７年６月５日現在
■主な特長
１．ページ書き込み時間：標準０．３ｍｓ 最大０．５ｍｓ
２．セクタ消去時間：標準１００ｍｓ 最大４００ｍｓ、チップ消去時間：標準０．５ｓ 最大５ｓ
３．データ読み出し速度：
４００Ｍｂｐｓ ＳＣＫ ５０ＭＨｚ時（ＬＥ２５ＦＷ８０８， ＬＥ２５ＦＷ１６０８）
５０Ｍｂｐｓ ＳＣＫ ５０ＭＨｚ時（ＬＥ２５ＦＷ８０６， ＬＥ２５ＦＷ１６０６）
＊以下、詳細は添付資料をご参照ください。