ＳＴマイクロ、照明アプリケーションの性能を向上する高効率パワーＭＯＳＦＥＴを発表
ＳＴマイクロエレクトロニクスは
照明アプリケーションの性能を向上する高効率パワーＭＯＳＦＥＴを発表
世界をリードするパワー半導体メーカーであるＳＴマイクロエレクトロニクス（ＮＹＳＥ：ＳＴＭ、以下ＳＴ）は、新しいパワーＭＯＳＦＥＴファミリの最初の製品を発表しました。この新しいファミリによって、非常に低いオン抵抗および優れた動作特性とアバランシェ特性が実現され、ユーザは、照明アプリケーションにおいて大幅な伝導損失の低減と、効率および信頼性の向上が可能になります。
商業用の照明アプリケーションにおいて、より高い電力密度と低コスト化が求められており、半導体メーカーは、デバイスの最適化を極限まで推進してきました。新製品『ＳＴＤ１１ＮＭ６０Ｎ』は、ＳＴ独自の第２世代ＭＤｍｅｓｈ（ＴＭ）技術の利点を活用することで、最適化を実現しながら最大４５０ｍΩのＲＤＳ（ＯＮ）を提供します。
このデバイスの抵抗値は、温度依存性に対する厳密なコントロール無しで、従来のＭＤｍｅｓｈ技術と比較して最大５５％低減されています。
この６００Ｖデバイスは、抵抗値を最小限に抑えることによりオン状態の損失を大幅に低減するとともに、エネルギーが最適化された駆動回路を備えており、ＭＯＳＦＥＴにおいて、より低いＶＧＳ（ｔｈ）（ゲート電圧しきい値）で、より高電流の駆動を可能にします。実際、同じしきい値の広がり（２Ｖ）を保ちながら、デバイスの駆動に使用するＶＧＳ電圧は低いレベルでの最適化が可能となり、回路の意図しないスイッチ・オンを防止する、高い雑音耐性を確保します。
ＳＴＤ１１ＮＭ６０Ｎは、優れたダイオードｄｖ／ｄｔ特性のほか、良好なアバランシェ特性を備えており、ユーザは、動作温度を標準的な動作範囲内に保つことができます。さらに、伝導損失が非常に低く電力損失が低減されているため、ヒートシンクのサイズを縮小し基板スペースを大幅に節約することが可能です。
この小型チップは、超小型のＤＰＡＫ／ＩＰＡＫおよびＴＯ－２２０ＦＰパッケージで提供しており、高力率電子バラストや高輝度放電（ＨＩＤ）ランプの電子バラストなどの照明アプリケーションに最適です。
ＳＴＤ１１ＮＭ６０Ｎは現在供給中であり、価格は１０，０００個単位の場合０．９０ドルです。
技術メモ
ＳＴのＭＤｍｅｓｈ（ＴＭ）（マルチプル・ドレイン・メッシュ（ＴＭ））技術の卓越した性能は、チップボディの延長である垂直Ｐ型ストリップを薄い水平Ｎ型ソース・ストリップと整列させ、区切られて配列しているドレインを使用した革新的なドレイン構造によるものです。新世代のＭＤｍｅｓｈ技術であるＭＤｍｅｓｈＩＩでは、Ｐ型ストリップ・アレイをさらに強化することにより、従来のＭＤｍｅｓｈと比較して、温度依存性に対して厳密なコントロールを強いられることなく、ＲＤＳ（ＯＮ）抵抗値を最大５５％低減しました。
この製品の詳細情報は、以下のアドレスからご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/p2090d.html
＊ＭＤｍｅｓｈ（ＴＭ）は、ＳＴマイクロエレクトロニクスの登録商標です。
ＳＴマイクロエレクトロニクスについて
ＳＴマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品やソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。ＳＴは、他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、幅広いＩＰ（Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ）ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力との組合わせにより、ＳｏＣ（システム－オン－チップ）技術に関し世界的リーダーとしての地位を確立しています。またＳＴの半導体製品は、市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目を果たしています。ＳＴは、ニューヨーク証券取引所（ＮＹＳＥ：ＳＴＭ）、パリ証券取引所（Ｅｕｒｏｎｅｘｔ Ｐａｒｉｓ）とミラノ証券取引所に上場されています。２００５年の売上は８８．８億ドルで、純利益は２億６６００万ドルでした。
さらに詳しい情報はＳＴのホームページをご覧ください。
ＳＴ日本法人：http://www.st-japan.co.jp
ＳＴグループ（英語）：http://www.st.com
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