ＩＲジャパン、ＤＣ－ＤＣコンバーターの出力パワーＭＯＳＦＥＴ３品種を発売
インターナショナル・レクティファイアー
ＤＣ－ＤＣコンバータの出力パワーＭＯＳＦＥＴ ３品種を発売
～ 耐圧２５Ｖ、ＩＲ社独自の小型金属パッケージ「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ」採用 ～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は３０日、耐圧２５ＶのＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）パワーＭＯＳＦＥＴ ３品種を発売しました。
製品化した３品種は、制御（コントロール）用パワーＭＯＳＦＥＴの「ＩＲＦ６６２２」、同期整流（シンクロナス）用パワーＭＯＳＦＥＴの「ＩＲＦ６６２８」と「ＩＲＦ６６２９」です。
用途は、組み込み型ＣＰＵの電源、マイクロプロセッサ向け電源モジュールの仕様ＶＲＭに準拠したサーバーや通信機器の電源、組み込み型ＤＣ‐ＤＣコンバータ（＊１）などです。こういった用途では、電力密度を高めるために、損失を減らして効率を高めることや放熱特性の向上が求められています。
制御用のＩＲＦ６６２２は、スイッチング損失を減らすために、ゲート電荷を１２ナノクーロンに低減しました。同期整流用のＩＲＦ６６２８とＩＲＦ６６２９は、導通時の損失を減らすために、オン抵抗（内部抵抗）をそれぞれ１．９ミリオーム、１．６ミリオーム（いずれも標準値）に低減しています。
パッケージは、ＩＲＦ６６２８とＩＲＦ６６２９がＤｉｒｅｃｔＦＥＴの中型カン（ＭＸ型：６．３ｍｍ×４．９ｍｍ）、ＩＲＦ６６２２はＤｉｒｅｃｔＦＥＴの小型カン（ＳＱ型：４．８ｍｍ×３．８ｍｍ）を採用しています。
今回の３品種は、１相当たり２０Ａ～３０Ａ出力のマルチフェーズ方式（＊２）ＤＣ－ＤＣコンバータに最適です。ＩＲＦ６６２２とＩＲＦ６６２８の組み合わせを各相の出力回路に使い、コントロールＩＣにＩＲ社のＸＰｈａｓｅ（Ｒ）チップ・セットを採用して、入力１２Ｖ、出力１．３Ｖ、スイッチング周波数３００ｋＨｚで５相のＤＣ－ＤＣコンバータを構成した場合、出力電流１３０Ａで８８％の効率が得られています。出力回路をＩＲＦ６６２２とＩＲＦ６６２９の組み合わせにすると、同じ条件で、出力１３０Ａのときの効率は８８．５％が得られました。
サンプル価格はＩＲＦ６６２２が１４０円、ＩＲＦ６６２８が２４０円、ＩＲＦ６６２９が２６０円（いずれも税込み）の予定です。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）から入手できます。
＜ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）技術について＞
インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ）社のＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージには、標準のプラスチック・パッケージでは実現できなかった設計上の利点があります。金属缶構造の採用により、プリント回路基板に熱を放散させて、最新マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）の深刻な発熱の問題を解消します。パッケージの表と裏の両面から放熱できるので、ＭＰＵに電源を供給するＤＣ－ＤＣコンバータの電流供給能力を倍増できます。デスクトップ・パソコンの高級機や、ノート・パソコン、ルーター、サーバー、デジタル・テレビといった用途で能力を発揮します。欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
表 ＤＣ－ＤＣコンバータ用の出力パワーＭＯＳＦＥＴ ３品種の概要
添付資料をご参照ください。
＜用語説明＞
＊１）ＤＣ－ＤＣコンバータ：直流電圧を直流電圧に変換する回路です。パソコンやインターネット機器などの内部で、論理ＩＣやマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、メモリーなどのＩＣを動作させるためのさまざまな電源電圧、例えば５Ｖ、３．３Ｖ、１．７Ｖ、１．３Ｖなどを作る回路です。ＤＣ－ＤＣコンバータの出力回路は一般的に、制御（コントロール）用のＭＯＳＦＥＴと同期整流（シンクロナス）用のＭＯＳＦＥＴを組み合わせて構成します。制御用ＭＯＳＦＥＴには、スイッチング損失を減らすためにゲート電荷を小さくすることが要求されます。一方、同期整流用ＭＯＳＦＥＴには、導通時の損失を減らすためにオン抵抗が小さいことが要求されます。
＊２）マルチフェーズ方式：複数のＤＣ－ＤＣコンバータを並列に動作させ、その出力位相をずらして加算してからマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）に電力を供給する方法です。大電流を供給可能で、抵抗などによる損失を低減でき、各電源回路の負荷も軽減できます。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ＩＲ社のホームページはhttp://www.irf.com。
注：ＩＲ（Ｒ）、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）、ＸＰｈａｓｅ（Ｒ）はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。