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ニュースリリースのリリースコンテナ第一倉庫

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2025'03.16.Sun
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2007'01.23.Tue

東芝、四日市工場にNAND型フラッシュメモリの新製造棟を建設

東芝・四日市工場におけるNAND型フラッシュメモリ新製造棟の建設について


 株式会社東芝(本社:東京都港区以下、東芝)とサンディスクコーポレーション(本社:米国・カリフォルニア州)の合意に基づいて、本日、東芝は半導体メモリの拠点である東芝・四日市工場(三重県四日市市)において、300ミリウェハーに対応したNAND型フラッシュメモリの新製造棟(以下、第四製造棟)の建設を開始しました。

 NAND型フラッシュメモリは、シリコンオーディオプレーヤーや携帯電話、各種メモリカードなど幅広いアプリーションへの採用が進み、その市場は急成長を続けています。両社は、東芝・四日市工場に300ミリウェハーに対応した最新鋭の第三製造棟を昨年夏から稼動させ、当初投資計画の前倒しなどにより能力増強を進めてきましたが、2008年以降に見込まれる、さらなる需要拡大に対応するため、今回、第四製造棟の建設に着手したものです。

 第四製造棟への投資金額は、06年度から07年度の2年間で、約3,000億円を見込んでいます。第四製造棟の建設は東芝が担当し、製造設備は両社が共同で出資するFlash Alliance 有限会社で導入します。生産するウェハーは両社で均等に取得する予定です。
 第四製造棟では、2007年第4四半期(10-12月期)から、NAND型フラッシュメモリを月産2,500枚規模で量産を開始します。さらに、1年後の2008年第4四半期(10-12月期)には、月産67,500枚まで生産能力を拡大する予定です。製造プロセスは、最先端56nm*からスタートし、その後順次、次世代のプロセスを導入していきます。

 また、第四製造棟では、地震による揺れを3分の1程度まで抑えることができる免震構造や、落雷等による瞬間的な電圧低下に対応するSMES(超伝導電力貯蔵装置)を採用することで、自然災害による製造装置への影響を抑制する対策を行います。

 両社は、第四製造棟の建設により、NAND型フラッシュメモリの生産能力を継続的に拡大していくとともに、微細化技術、多値化技術などの技術開発で常に先行することで、世界シェアでトップクラスにあるNAND型フラッシュメモリの競争力を更に強化し、今後も市場におけるリーダシップを堅持していきます。

* nm :ナノメートル。10-9m

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