東芝、四日市工場にＮＡＮＤ型フラッシュメモリの新製造棟を建設
東芝・四日市工場におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ新製造棟の建設について
株式会社東芝（本社：東京都港区以下、東芝）とサンディスクコーポレーション（本社：米国・カリフォルニア州）の合意に基づいて、本日、東芝は半導体メモリの拠点である東芝・四日市工場（三重県四日市市）において、３００ミリウェハーに対応したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの新製造棟（以下、第四製造棟）の建設を開始しました。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、シリコンオーディオプレーヤーや携帯電話、各種メモリカードなど幅広いアプリーションへの採用が進み、その市場は急成長を続けています。両社は、東芝・四日市工場に３００ミリウェハーに対応した最新鋭の第三製造棟を昨年夏から稼動させ、当初投資計画の前倒しなどにより能力増強を進めてきましたが、２００８年以降に見込まれる、さらなる需要拡大に対応するため、今回、第四製造棟の建設に着手したものです。
第四製造棟への投資金額は、０６年度から０７年度の２年間で、約３，０００億円を見込んでいます。第四製造棟の建設は東芝が担当し、製造設備は両社が共同で出資するＦｌａｓｈ Ａｌｌｉａｎｃｅ 有限会社で導入します。生産するウェハーは両社で均等に取得する予定です。
第四製造棟では、２００７年第４四半期（１０－１２月期）から、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを月産２，５００枚規模で量産を開始します。さらに、１年後の２００８年第４四半期（１０－１２月期）には、月産６７，５００枚まで生産能力を拡大する予定です。製造プロセスは、最先端５６ｎｍ＊からスタートし、その後順次、次世代のプロセスを導入していきます。
また、第四製造棟では、地震による揺れを３分の１程度まで抑えることができる免震構造や、落雷等による瞬間的な電圧低下に対応するＳＭＥＳ（超伝導電力貯蔵装置）を採用することで、自然災害による製造装置への影響を抑制する対策を行います。
両社は、第四製造棟の建設により、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産能力を継続的に拡大していくとともに、微細化技術、多値化技術などの技術開発で常に先行することで、世界シェアでトップクラスにあるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの競争力を更に強化し、今後も市場におけるリーダシップを堅持していきます。
＊ ｎｍ ：ナノメートル。１０－９ｍ