セイコーエプソン、１０倍の書き換え回数を実現した「強誘電体メモリ」開発
高速・高耐久の強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）を開発
従来比１０倍＊１への書き換え回数の飛躍的向上を実現
セイコーエプソン株式会社（社長：花岡 清二）は、次世代メモリのひとつとして考えられている強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）において、従来の製品と比べて１０倍の書き換え回数の向上を実現することに成功いたしました。この成果を、１１月１５日から開催される「Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ２００６／組込み総合技術展」＊２に開発参考品として出展、次世代の組込み用途にも使用できる技術として提案し、早期の実用化をめざしてまいります。
ＦｅＲＡＭはＥＥＰＲＯＭよりも１０万倍以上速く動作し、１５，０００分の１程度の消費電力に抑えられることから、主に現在ＩＣカードやモバイル用途の不揮発性メモリとしての用途にととどまらず、組み込み用途の半導体メモリを置き換える可能性を秘めております。
当社ではかねてから、ＦｅＲＡＭ用材料のひとつであるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の構成元素のうちのチタンを、従来の限界とされていた量の２０～３０倍強のニオブに置き換えたオリジナル強誘電体材料（ＰＺＴＮ）を開発し、メモリとしての実用化に向けた技術開発を進めてまいりました。
このたび当社では、０．３５ｕｍＣＭＯＳ技術ベースに、新材料を用いることで、高耐久なＦｅＲＡＭの開発に成功いたしました。この成果を「Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ２００６／組込み総合技術展」に開発参考品として出展する事を通し、市場の反応、要望を探り、早期の実用化に向けて開発を加速させてまいります。
本ＦｅＲＡＭは以下の特徴を備えています。
１）書き換え回数、耐久性の向上
ＥＥＰＲＯＭと比較して１０万倍＊３以上、従来比１０倍以上の書き換えが可能であり３ミリ秒に一回のデータ更新を１０年間に渡って連続で実施できるレベルの耐久性を実現しています。
２）不揮発メモリでの高速化を実現
不揮発メモリでありながらＥＥＰＲＯＭと比較して１０万倍＊４早い書き込みサイクル時間、１００ｎｓｅｃを達成。
３）モバイル用途向け超低消費電力を実現
エプソン独自の低消費電力ＣＭＯＳ技術により、従来比１０分の１から１００分の１＊５のスタンバイ電流を実現
【 開発したＦｅＲＡＭ技術の概要 】
・製造プロセス：０．３５ｕｍ
・電 源：３Ｖ単一電源動作
・構 造：スタックド構造
・最大集積度：５１２Ｋｂｉｔを予定（開発参考品は６４Ｋｂｉｔ）
・動作温度範囲：－４０℃～８５℃
・アクセス時間：７５ｎｓｅｃ
・書き込みサイクルタイム：１００ｎｓｅｃ
・動作電流：５ｍＡ
・スタンバイ電流：１ｕＡ
＊１、＊３、＊４、＊５：市販品のカタログ値に基づく当社調べ
＊２：組込みシステム技術に特化した世界最大級の展示会
名称 Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ２００６／組込み総合技術展
会期 ２００６年１１月１５日（水）～１７日（金）
会場 パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
以上
■用語解説
・強誘電体メモリ ＦｅＲＡＭ：Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ｍｅｍｏｒｙ／強誘電体を利用した不揮発メモリの一種。
・ＥＥＰＲＯＭ：電気的に書き込み、書き換えができる不揮発メモリ。バイトごとの書き換えが可能。書き換えには通常より高い電圧を必要とする。書き換え回数に制限があり、数十万回程度が限界である。
・不揮発メモリ：電源を遮断してもデータが記憶されているメモリ。
・チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）：チタン、ジルコンおよび鉛の酸化物からなる強誘電体材料。圧電体としてプリンタのヘッド等に広く用いられている。
・ＰＺＴＮ：上記ＰＺＴを形成するチタンの一部をニオブに置き換えたエプソンのオリジナル材料。ＰＺＴより、安定な結晶構造を形成する。
・スタックド構造：トランジスタ電極とキャパシタ電極を直接コンタクトで結んだメモリセル構造。配線を介した従来の構造（プレーナー構造）に比べ、面積、製造工程を削減することができる。