富士通、携帯機器向け高速２５６メガビット モバイルＦＣＲＡＭを発売
携帯機器向け高速２５６メガビット モバイルＦＣＲＡＭ（Ｒ）を新発売
～共通仕様ＣＯＳＭＯＲＡＭ Ｒｅｖ．４に準拠～
当社は、携帯電話やゲーム機などの携帯機器向けに、擬似ＳＲＡＭの共通インターフェース仕様ＣＯＳＭＯＲＡＭ Ｒｅｖ．４（注１）に準拠した、容量２５６メガビット（以下、Ｍｂｉｔ）のモバイルＦＣＲＡＭ（注２）「ＭＢ８２ＤＤＳ０８３１４Ａ」を開発し、２００７年１月上旬より提供を開始します。本製品は、ダブル・データ・レート・バースト（以下、ＤＤＲバースト）（注３）機能を搭載し、従来に比べ２倍以上高速にデータの読み書きが可能です。
本製品により、携帯機器においてより高速なアプリケーション動作が可能になります。
近年、デジタルカメラや動画配信機能を搭載した携帯機器では、画質の向上やアプリケーションのマルチ動作など、より快適な機能が求められています。最近では、ワンセグ放送に対応した携帯機器も登場し、ますますメモリの大容量化と高速動作が必要になっています。
このほど開発した「ＭＢ８２ＤＤＳ０８３１４Ａ」は、ＣＯＳＭＯＲＡＭ の最新仕様であるＲｅｖ．４にいち早く対応したモバイルＦＣＲＡＭです。２５６Ｍｂｉｔの容量で、最高動作周波数１３５メガヘルツ、ＤＤＲバースト機能により毎秒最大１ギガバイトの高速データ転送が可能で、擬似ＳＲＡＭとして最高性能のデータ読み出し・書き込み動作を実現しています。また、本製品では、アドレス・データ・マルチプレックス・バス（注４）を採用することで端子数を削減しており、お客様のシステム設計コストを低減します。
当社では、携帯機器向け擬似ＳＲＡＭのパイオニアとして、ＣＯＳＭＯＲＡＭ仕様に準拠したモバイルＦＣＲＡＭに取り組んできました。今回同時に、従来のＣＯＳＭＯＲＡＭ Ｒｅｖ．３に準拠し、メモリ容量を２５６Ｍｂｉｔに倍増した「ＭＢ８２ＤＢＳ０８３１４Ａ」も提供開始し、これまでのインターフェースでアプリケーションを高機能化させたいお客様のご要望にもお応えします。今後も、お客様のアプリケーションに最適なメモリシステムソリューションを開発・製品化し、提供していきます。
■ サンプル価格、および提供開始時期
・製品名 「ＭＢ８２ＤＤＳ０８３１４Ａ」
サンプル価格（税込） ２，０００円
出荷時期 ２００７年１月上旬
備考 ＣＯＳＭＯＲＡＭ Ｒｅｖ．４準拠
・製品名 「ＭＢ８２ＤＢＳ０８３１４Ａ」
サンプル価格（税込） ２，０００円
出荷時期 ２００７年１月上旬
備考 ＣＯＳＭＯＲＡＭ Ｒｅｖ．３準拠
■ 販売目標
月産１００万個 （２製品それぞれ）
■ 「ＭＢ８２ＤＤＳ０８３１４Ａ」の特長
１． 高速データ転送を実現
ＤＤＲバースト機能の採用により、従来のシングル・データ・レート・バースト（以下、ＳＤＲバースト）機能品に比べて２倍のデータバンド幅を実現し飛躍的にデータ読み書き性能を向上できます。これにより、高性能携帯機器に必要とされるメモリ性能を十分に満たすことが可能です。
２． 初期アクセスタイムの削減
ショート・レイテンシ・モード（注５）では、メモリからデータを取得するまでの初期待ち時間を削減し、実効データ転送性能が向上しています。これにより、ＣＰＵの待ち時間を大幅に削減し、システム性能の向上に寄与します。
■ 商標について
記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以上
■ 注釈
（注１） ＣＯＳＭＯＲＡＭ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ＲＡＭ）Ｒｅｖ．４：
ＣＯＳＭＯＲＡＭは、株式会社東芝、ＮＥＣエレクトロニクス株式会社、当社の３社による、擬似ＳＲＡＭのインターフェースの共通仕様。擬似ＳＲＡＭとは、ＤＲＡＭのセルを用い、データ記憶保持に必要なリフレッシュ動作をメモリ素子内部で自己管理する機能を持つＳＲＡＭ互換メモリのこと。今回の製品は、最新の仕様であるＲｅｖ．４（２００６年２月１５日に３社で共同発表）に準拠している。
（注２） ＦＣＲＡＭ（Ｆａｓｔ Ｃｙｃｌｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）：
当社独自開発の高速・低消費電力型のメモリ。モバイルＦＣＲＡＭは、ＦＣＲＡＭコアにＳＲＡＭインターフェースを搭載した擬似ＳＲＡＭ。
（注３） ＤＤＲバースト：
２つのクロック信号の立ち上がりに同期してデータの読み出し・書き込みを行う方式。これに対し、１つの信号に同期する従来方式はＳＤＲバースト。
（注４） アドレス・データ・マルチプレックス・バス：
アドレス端子とデータ端子を共通化したもの。両端子を共通化することにより、端子数の削減が可能となり、ボード設計を容易にする。
（注５） ショート・レイテンシ・モード：
読み出し・書き込みデータの初期アクセス時間を短縮できる機能。読み出しの場合、初期アクセス時間を従来の７０ナノ秒から４５ナノ秒に短縮可能。
■ 本件に関するお問い合わせ
電子デバイス事業本部 システムメモリ統括部 ＲＡＭマーケティング部
電話： ０３－５３２２－３３２４ （直通）
Ｅ－ｍａｉｌ： edevice@fujitsu.com