米ＩＤＴ、携帯電話やＰＤＡ向けに同期型モバイル・マルチメディア・インターコネクトを発表
ＩＤＴ、携帯電話の上位機種やＰＤＡ向けに
業界初の同期型モバイル・マルチメディア・インターコネクトを発表
前世代ソリューションと比べ６倍速の高速性能とバッテリ消耗の９０％削減を実現
より長い電池寿命を備えた高品質のマルチメディア再生を可能に
＜発表のポイント＞
＊ 携帯電話やＰＤＡなど携帯マルチメディア端末の上位機種をターゲットとした業界初の同期型インターコネクト
＊ データ転送レートを改善し、全体として６倍速の高速性能を実現。
その結果、バッテリ消耗も９０％削減
＊ ＢｌｕｅｔｏｏｔｈやＷｉ－Ｆｉ， ＧＰＳなど、携帯端末の上位機種で差別化につながる競争優位性を確保できる
デジタル・メディアのユーザー体験を豊かにする上で重要となるミックスド・シグナル半導体ソリューションの大手サプライヤのＩＤＴ（ＴＭ）（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．， 本社：米国カリフォルニア州サンノゼ、Ｎａｓｄａｑ：ＩＤＴＩ、以下ＩＤＴ）は本日、携帯情報端末（ＰＤＡ）や携帯電話の上位機種向けマルチメディア・アプリケーション用に最適化された、業界初の同期型モバイル・マルチメディア・インターコネクト（Ｍｏｂｉｌｅ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ（ＴＭ）、以下、Ｍ２Ｉ）を発表した。Ｍ２Ｉは非常に先進的なインタフェース構造を備え、前世代製品と比べて６倍の高速性とともに、バッテリ消耗の９０％削減を実現した。通話時間への影響や電池寿命への影響を最低限に抑えられるため、携帯電話の上位機種を使用するユーザーは、優れた品質のマルチメディアの再生を安心して楽しむことができる。携帯電話のメーカーにとっては、Ｍ２Ｉの高度なインタフェースを採用することで、プロセッサがＢｌｕｅｔｏｏｔｈやＷｉ－Ｆｉ、グローバル・ポジショニング・システム（ＧＰＳ）といった差別化につながる追加機能をサポートできるようになり、上位機種において高い競争優位性を確保することができる。
Ｍ２Ｉの特長は以下の通りである。
＊ アドレス／データ・マルチプレックス（ＡＤＭ）インタフェースを活用するアプリケーション・プロセッサやベースバンド・プロセッサに対応するよう設計。
ＡＤＭインタフェースは、携帯電話の上位機種に使われている標準的な非同期型デュアルポートＲＡＭや組み込みシリアルインタフェースといったアプローチよりも高い帯域幅を確保し、かつ、Ｉ／Ｏ カウントを抑えられる。
＊ プロセッサＩ／Ｏピンの数を半減。使用しないピンは、メーカーが端末の差別化につながると考える機能をサポートするために使用できる。
＊ プロセッサが他のデバイスを制御あるいは監視、またはその両方を行うことを可能にするダイナミックなプログラマブルＩ／Ｏを８つ搭載。端末の設計エンジニアが差別化につながる追加機能をさらに増やすことも可能にする。
ＩＤＴのフロー・コントロール・マネジメント事業部バイス・プレジデント兼ゼネラル・マネージャであるトーマス・ブレナー（Ｔｈｏｍａｓ Ｂｒｅｎｎｅｒ）は、「ハイエンドの携帯電話のユーザーは、高速ダウンロードと、最高級の画質／音質での再生機能との両方を求めています。しかし、このスピードと品質が電池寿命を減らすことがあっては、ならないのです。当社では、ベースバンドとアプリケーションのプロセッサ間のインタフェースが、大きな性能上のボトルネックと電池の消耗につながっていることを突き止めました。この問題を解決するには、新しいインターコネクトの構造が必要であることは明らかでした。このため当社は、ハイエンド携帯電話の主要メーカー、また、このアプリケーション分野で卓越したプロセッサ部品を提供するメーカーと、緊密な協力関係を結んでＭ２Ｉを設計しました」と述べている。
Ｍ２Ｉは、複数のアドレス指定が必要ないカウンタを内蔵し、同期型クロッキング・スキームを採用することで、高性能で電池の消耗を低減するアーキテクチャを実現した。その結果として、前世代製品が６４Ｋｂｉｔのデータを処理するのに８，０００サイクル必要だったのに対し、Ｍ２Ｉはわずか４，００１サイクルで処理できる。また、データ転送に必要なサイクル数を半減できるだけでなく、サイクル速度が３倍になっているため、全体の性能としては６倍速を実現している。これだけの性能を実現したうえで、さらに電池の消耗を９０％削減できるのである。
価格と供給状況
新製品Ｍ２Ｉは１個当たり３米国ドル、１万個単位でサンプル出荷中である。
詳細については、 http://www.idt.com/go/m2i をご覧ください。
＜ ＩＤＴ社の概要 ＞ ＵＲＬ： http://www.idt.com/
ＩＤＴは、デジタル・メディアの世界をより豊かにすることを常なる目標として、同社の基盤となる半導体製造経験と、重要な技術革新を組み合わせて、顧客企業の抱える問題を解決する低消費電力のミックスド・シグナル・ソリューションを開発、提供しています。カリフォルニア州サンノゼに本社を置くＩＤＴは、設計、製造、および販売の拠点を世界中に持っています。
ＩＤＴの株式は、ＮＡＳＤＡＱ株式市場（ｒ）において“ＩＤＴＩ”の銘柄で取引されています。ＩＤＴに関する更に詳しい情報については、 www.IDT.com をご覧ください。
＜日本ＩＤＴ株式会社 について＞ ＵＲＬ http://www.idt.co.jp/
日本ＩＤＴ株式会社（所在地： 東京都千代田区三番町８番１三番町東急ビル７Ｆ、資本金： １億円）は、米国ＩＤＴ社が１００％出資し１９８７年に設立されました。
日本ＩＤＴ株式会社は、お客様のイノベーションの加速に不可欠な半導体ソリューションの設計、開発、提供におけるワールドリーダーであるＩＤＴの日本法人です。通信、コンピューティング、デジタル家電分野において、技術発展のために複雑化するシステム設計の問題解決を支援します。
システムレベルの技術知識と、広範囲にわたるさまざまな技術を統合することで、ＩＤＴは、タイミング製品、ネットワーク・サーチ・エンジン、フロー・コントロール・マネジメントＩＣ、また業界標準規格に準拠したシリアル・スイッチ製品を含め、必要不可欠な製品を提供していきます。
ＩＤＴならびに ＩＤＴのロゴはＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．の商標または登録商標です。
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●お問い合わせ先
日本ＩＤＴ株式会社 電話：０３－３２２１－９８２３