米ＩＢＭ、通信やコンシューマーなど向け半導体チップ・テクノロジーのイノベーションを発表
ＩＢＭ、半導体チップ・テクノロジーのイノベーションを発表
新しいテクノロジーが通信、ストレージ、携帯市場におけるワイヤレス機器のチップの高集積化と低消費電力でのパフォーマンス向上に貢献
［米国カリフォルニア州サンディエゴ ２００７年６月５日（現地時間）発］
ＩＢＭ（本社：米国ニューヨーク州アーモンク、会長：サミュエル・Ｊ・パルミサーノ、ＮＹＳＥ：ＩＢＭ）は５日（現地時間）、２００７年度のＤｅｓｉｇｎ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＤＡＣ）において、チップ・テクノロジーの飛躍的進歩から生まれた半導体の新製品を発表しました。その一つであるＣｕ－４５ Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｃｕｓｔｏｍ Ｃｈｉｐ（Ｃｕ－４５ＨＰ ＡＳＩＣ）は、これまで高性能マイクロプロセッサーにのみ使われていたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を、通信やコンシューマーなど主要な市場向けに初めて商用展開をするものです。またこのＣｕ－４５ＨＰ ＡＳＩＣ製品は、ＳＯＩテクノロジーを利用した新世代のｅＤＲＡＭ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を業界で初めて搭載したものです。なおｅＤＲＡＭにおけるＳＯＩテクノロジーの利用は、ＩＢＭが２００７年２月に「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ）」で発表しています。
ＡＳＩＣは、航空宇宙、防衛、ストレージ、家庭用電化製品、ネットワーク機器などの主要業界における製品や、その他の高度な画像処理の必要なマルチメディア・アプリケーションの差別化を目的とする、特定用途向け半導体です。ＡＳＩＣの一例として、携帯電話専用のチップが挙げられます。
ＩＢＭのサーバー製品に搭載された、６世代にわたるＰｏｗｅｒ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ ＴＭ プロセッサーにおいて不可欠なＳＯＩテクノロジーは、業界で標準的に使われているＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）テクノロジーに比べ最大で３０％高いパフォーマンスを発揮します。
ＳＯＩを利用したＩＢＭの新しい４５ｎｍ ｅＤＲＡＭテクノロジーは、プロセッサー上のメモリー・パフォーマンスの劇的向上を実現できるだけでなく、従来型のＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に比べてサイズは約３分の１、待機時の消費電力は５分の１ですみます。
またＩＢＭは５日、携帯端末などのワイヤレス製品を対象とする、デジタルおよびアナログ半導体製品３種も発表しました。これらの新製品にはオンチップ・インテグレーションを促進する機能が盛り込まれており、コスト効率、パフォーマンス、集積密度の向上に貢献します。
・ＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳ ５ＰＡｅ－このシリコンゲルマニウム・ベースのアナログ半導体は、ＩＢＭの「Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ」テクノロジーを利用した初の製品です。携帯電話、移動電話、およびＷＬＡＮ／ＷｉＭＡＸアプリケーション用の電力増幅器を設計するお客様の場合、当製品を使用することでコスト削減が可能になります。
・ＣＭＯＳ １１ＬＰ－携帯端末設計の際にデバイス・リークを抑制できるよう最適化された半導体で、低リーク型ＳＲＡＭと２つのスタンダード・セル・ライブラリーを備えています。なお、最新鋭の液浸液浸露光技術をベースに構築されています。
・ＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳ ６ＷＬテクノロジー－既存のＩＢＭテクノロジーのコスト効率を最適化したバージョンです。この製品は、携帯電話、ＷＬＡＮ、ＧＰＳ機器といった大量コンシューマー・アプリケーション用に高性能のアナログ半導体を使いたいというお客様に価値をもたらします。
ＩＢＭ Ｇｌｏｂａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ（ＧＥＳ）セミコンダクターおよびサービス担当バイス・プレジデントのトム・リーブス（Ｔｏｍ Ｒｅｅｖｅｓ）は次のように語っています。「研究およびイノベーションにおいて最も進んでいるＩＢＭの技術を活用した半導体製品を、いよいよ市場に提供できるようになりました。初の４５ｎｍ ＡＳＩＣ ＳＯＩチップから、新しいｅＤＲＡＭやチップ・インテグレーション・テクノロジーの利用まで、今回の新製品には多彩な進歩が盛り込まれています。これにより、フレキシブルでコスト効率の優れた製品が実現し、お客様の要望に合わせたＩＢＭの半導体ソリューションの価値が発揮できます。」
ＩＢＭ（Ｒ） ＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳ ６ＷＬ設計キットはすでに提供を開始しています。またＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳ ５ＰＡｅ 設計キットは２００７年夏、ＣＭＯＳ １１ＬＰファウンドリー製品の初の設計キットは２００７年後半に、それぞれ提供を開始する予定です。また、Ｃｕ－４５ＨＰ ＡＳＩＣは２００８年早々に提供を開始する予定です。
マイクロエレクトロニクスにおけるＩＢＭのイノベーションと、画期的なＳｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－Ｃｈｉｐの設計は、半導体産業を大きく進歩させてきました。ＩＢＭが達成した飛躍的進歩の例としては、トランジスターの機能を増強すると同時にそのサイズを現在の限度を超えて縮小できるＨｉｇｈ－ｋ（高誘電率ゲート絶縁膜）、２コアおよびマルチ・コアのマイクロプロセッサー、オンチップ銅配線、ＳＯＩ、およびシリコンゲルマニウムのトランジスター、歪みシリコン、そしてコンピューター・チップが自身の状態変化に自律的に対応できる技術「ｅＦＵＳＥ」などがあります。ＩＢＭが培ってきた４０年におよぶ半導体分野のイノベーションに対し、技術分野における米国最高の栄誉であるＮａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｄａｌ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（アメリカ国家技術賞）が、米国政府から贈られています。
ＩＢＭのサーバー、ストレージ・システム、世界最速のスーパーコンピューター、そして広く知られ普及している多くの通信および家電ブランド製品の心臓部には、ＩＢＭのチップが使われています。
ＩＢＭマイクロエレクトロニクスの詳細は、http://www.ibm.com/chips/をご覧ください。
以 上
当報道資料は２００７年６月５日（現地時間）にＩＢＭ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎが発表したものの抄訳です。なお原文は下記ＵＲＬを参照ください。
http://www.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21648.wss
ＩＢＭ、Ｐｏｗｅｒ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅは、ＩＢＭ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの商標。
その他の製品名および会社名は、それぞれ各社の商標または登録商標です。
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＜関連サイト＞
日本ＩＢＭ半導体ソリューション トップページ：http://www.ibm.com/jp/chips/
＜ホームページ＞
日本ＩＢＭトップページ：http://www.ibm.com/jp/
プレスリリース ：http://www.ibm.com/press/jp/