ＳＩＣＡＳ、世界半導体生産能力統計の２００６年第２四半期（４－６月）の数値を発表
ＳＩＣＡＳ統計の２００６年第２四半期（４ － ６月）の数値公表
ＳＩＣＡＳ統計（世界半導体生産キャパシティ統計）の２００６年第２四半期（４－６月）の数値がまとまったので公表いたします。生産能力の数字は断りのない限り８インチウエファー換算の数字です。なお、前回（２００６年第１四半期）よりデイスクリート・データの集計を開始しました。
２００６年第２四半期（２Ｑ）のＩＣ合計（ＭＯＳ ＩＣ＋バイポーラ）の生産能力は１７４４．４千枚／週で前四半期（２００６年１Ｑ）の１７０２．８千枚／週から＋２．４％増加した。前期比伸長率は２００５年３Ｑに＋３．３％、４Ｑに＋３．５％、２００６年１Ｑに＋４．２％と堅調に増加したが２Ｑもそれを継続した。２Ｑの前年同期比伸長率は＋１４．０％であった。
ＭＯＳ ＩＣの第２四半期（２Ｑ）の生産能力は１６６０．４千枚／週で前四半期（２００６年１Ｑ）の１６１１．０千枚／週から＋３．１％増加した。前年同期比伸長率は＋１６．３％であった。
２Ｑのμ（ミクロン）別の生産能力前期比伸長率は、０．７μ以上が－３．７％、０．４μ以上０．７μ未満が－５．３％と減少傾向がみられる一方、０．３μ以上０．４μ未満が＋０．３％、０．２μ以上０．３μ未満が＋４．４％、０．１６μ以上０．２μ未満が＋２．９％と伸張した。ＳＩＣＡＳでは２００５年１Ｑから０．１６μ未満を「０．１２μ以上０．１６μ未満」と「０．１２μ未満」に細分し始めたが、２Ｑの０．１２μ以上０．１６μ未満は２９０．４千枚／週で前期比伸長率－２．５％、０．１２μ未満は５４２．０千枚／週で前期比伸長率＋１３．４％であった。全体としては、特に０．１２μ未満のプラス伸長が顕著であった。
μ（ミクロン）別の２Ｑの稼働率は、０．７μ以上が８６．０％（前期比＋０．６ポイント）、０．４μ以上０．７μ未満が８９．２％（同＋７．８ポイント）、０．３μ以上０．４μ未満が８２．４％（同＋１．９ポイント）、０．２μ以上０．３μ未満が９０．５％（同－０．６ポイント）、０．１６μ以上０．２μ未満が８６．６％（同＋２．６ポイント）、０．１２μ以上０．１６μ未満が９７．３％（同－０．４ポイント）、０．１２μ未満が９６．９％（同＋０．１ポイント）であった。この結果ＭＯＳ計の稼働率は１Ｑの９０．２％から＋１．６ポイント上昇して、９１．８％となった。結果、２００５年３Ｑ以来４四半期連続して９０％以上の高稼働率を示している。
ＭＯＳ計に占めるファンダリー・ウェハの生産能力（２Ｑ）は２８０．３千枚／週であり、１Ｑに対して前期比＋３．１％の伸長を示した。２Ｑの稼働率は９４．２％であり、１Ｑから＋２．５ポイント上昇し、２００５年４Ｑレベルに回復した。
ＭＯＳ計に占める８インチウェハの生産能力は１０２１．６千枚／週であり、１Ｑに比べ＋２．４％増加した。ＳＩＣＡＳでは２００４年１Ｑから１２インチ（３００ｍｍ）ウェハの統計を集計しているが、２００６年２Ｑの生産能力は８インチ換算で４０８．２千枚／週（１２インチ実枚数では１８１．４千枚／週）と１Ｑから＋１７．１％の伸張を示し、稼働率は９６．７％（前期比＋０．５％）であった。生産能力、稼働率とも高いレベルでの伸張を示しているのが注目される。（諸データの詳細は別添をご参照ください。）
ＳＩＣＡＳは、世界の５業界団体（ＥＥＣＡ、ＪＥＩＴＡ、ＫＳＩＡ、ＳＩＡ、ＴＳＩＡ）の支援の下に、１９９４年に活動を開始し、現在世界の主要半導体（ＩＣ）メーカ４１社が会員として参加しています。
・ＥＥＣＡ ：Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ （欧州電子部品工業会）
・ＪＥＩＴＡ：Ｊａｐａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ （電子情報技術産業協会）
・ＫＳＩＡ ：Ｋｏｒｅａ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ （韓国半導体産業協会）
・ＳＩＡ ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ （ｏｆ ｔｈｅ ＵＳ） （米国半導体工業会）
・ＴＳＩＡ ：Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ （台湾半導体産業協会）
ＳＩＣＡＳに参加しているＩＣメーカは、年４回、四半期毎に、そのＩＣ生産能力と実投入数を地域別に委託した第三者のデータ集計機関に提出し、そこで集計された数値は最後に中央集計機関によりまとめられ、世界計の集計データとなり発表されます。
データの秘密保持のため、会員を含むいかなる関係者（データ集計機関を除く）も、公表される「世界計のデータ」以外を知り得ない仕組みとなっています。
参加会員は、各々自社の世界全体の生産能力と実投入数を連結ベースで把握し報告しますが、他のＩＣメーカに生産委託している部分は含みません。生産能力・実投入数のいずれもウェハ枚数を単位とし、集計期間内の総数を週当たりの平均値に換算し「千枚／週」の単位で報告します。
報告方法は以下のとおりです。
前回（２００６年第１四半期）よりデイスクリート・データの集計を開始した為、参照資料の体裁が変わりました。
半導体合計＝ＩＣ合計＋デイスクリート計
ＩＣ合計＝ＭＯＳ ＩＣ＋バイポーラＩＣの体系となります。
＊インチ換算にご注意ください。
ＭＯＳ ＩＣは、加工精度により０．７ミクロン以上、０．４ミクロン以上０．７ミクロン未満、０．３ミクロン以上０．４ミクロン未満、０．２ミクロン以上０．３ミクロン未満、０．１６ミクロン以上０．２ミクロン未満、０．１２ミクロン以上０．１６ミクロン未満、および０．１２ミクロン未満に分けて８インチウェハの枚数に換算、バイポーラＩＣは加工精度の分類はなく、５インチウェハの枚数に換算。またＭＯＳ ＩＣ生産能力のうち８インチウェハと１２インチウェハの生産能力および実投入数のデータも併せて集計。また生産能力については、１年＝５２週、１週＝７日、１日＝２４時間の稼動を前提とします。
ＳＩＣＡＳへの参加は任意であり、いかなるＩＣメーカ（５つの支援業界団体のどれにも属さないメーカも含む）に対してもオープンです。四半期毎に公表されるＳＩＣＡＳ統計は、参加会員だけでなく誰にでも入手可能であり、前述の５業界団体から入手できます。また、ＳＩＣＡＳ統計は、全ての過去データを含め以下のＷｅｂサイトでご覧になることが出来ます。
http://www.sicas.info/
ＳＩＣＡＳの運営組織は会員から選出された代表者で構成されており、現在、事務局はオランダに設置されています。
ＳＩＣＡＳ統計は、世界のＩＣ生産能力とその稼動実績に関する信頼に足る情報をタイムリーに提供するものであり、このような情報は、ＩＣ製造設備の急速な技術革新やＩＣ技術の各世代毎に必要な設備投資額が肥大化していることなどを考えると、半導体及び関連産業にとって有用な参考情報であると考えられます。
なお、日本地域の運営組織として、ＳＩＣＡＳ Ｊａｐａｎが１９９５年１月に設立されました。