日立ハイテク、半導体微細プロセス計測に対応の高分解能ＦＥＢ測長装置を発売
超微細パターンに対応した新型の測長ＳＥＭを開発
－ 高分解能、高精度、高スループットを実現した半導体計測装置 －
株式会社日立ハイテクノロジーズ（執行役社長：林 將章／以下、日立ハイテク）は、半導体デバイスの最先端微細プロセス計測に対応した新型の高分解能ＦＥＢ測長装置「ＣＧ４０００」を開発し、このたび発売を開始しました。
本装置は、サブナノレベルでの計測精度の実現に向け現行の「Ｓ－９０００シリーズ」のプラットホームを一新し、高分解能、高精度測長再現性、高スループットを図った最新鋭の測長ＳＥＭ（＊１）です。
年々着実に微細化が進む最先端の半導体デバイスの製造プロセスでは、６５ｎｍ（ＤＲＡＭハーフピッチ）レベルの量産が開始され、さらに４５ｎｍ、３２ｎｍと次世代、次々世代のデバイス開発が進行しています。これに伴い微細化プロセスのパターン寸法管理の要となる測長ＳＥＭも、より一層の性能向上を求められています。
今回開発した「ＣＧ４０００」は、これら次世代デバイス製造プロセスの高度な要求に対応するため、現行の測長ＳＥＭ「Ｓ－９０００シリーズ」のプラットホームを一新し、耐環境性能の向上、より高い測長精度と自動化率向上を実現しました。これによりスループットが飛躍的に向上し、さらに測長再現性、測長安定性を大幅に改善しました。「ＣＧ４０００」では、平均寸法計測機能（ＡＣＤ）を高精度化し、日立ハイテクが業界標準化を推進してきたＬＥＲ（＊２）計測機能など、多くの最先端プロセスアプリケーション対応機能を搭載しています。
日立ハイテクは測長ＳＥＭの世界トップメーカーとして、自信をもって「ＣＧ４０００」をご提供させていただきます。
【 主な特長 】
１．高分解能、高精度測長再現性
２．高スループット・自動化機能の充実
３．ＬＥＲ計測機能
４．操作性能向上とメンテナンス機能の自動化
●画像：高分解能ＦＥＢ測長ＳＥＭ「ＣＧ４０００」
（※ 関連資料を参照してください。）
【 主な仕様 】
分解能 １．８ｎｍ（加速電圧：８００Ｖ）
加速電圧 ３００～１，６００Ｖ（１０Ｖステップ）
（２００～２，０００Ｖ：オプション）
再現性 ±１％、または０．３ｎｍ（３σ）以下
（試料：日立標準ウェーハ使用）
ウェーハサイズ ３００ｍｍ（２００ｍｍ）
（＊１）測長ＳＥＭ
半導体ウェーハ上の微細な回路パターンの寸法を測定（測長）する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）。半導体デバイスの開発ライン、量産ラインの検査工程で使用され、歩留まり管理に不可欠な計測装置。
（＊２）ＬＥＲ（Ｌｉｎｅ Ｅｄｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）
レジストパターンのエッジのばらつき（ラフネス）。ゲートパターンのラフネスがトランジスタの特性を左右するため、ラフネスを正確に計測することが求められている。