ＩＲジャパン、耐圧２５ＶのＤＣ－ＤＣコンバーター向けパワーＭＯＳＦＥＴ２品を発売
耐圧２５Ｖの電源用パワーＭＯＳＦＥＴ ２品種
～ 裏表両面から放熱可能な小型金属パッケージＤｉｒｅｃｔＦＥＴ採用 ～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は２５日、ノート・パソコン、高性能デスクトップ・パソコン、サーバー、データ通信システムなどで使う大電流出力のＤＣ－ＤＣコンバータ（＊１）向けパワーＭＯＳＦＥＴのチップ・セットのサンプル出荷を開始しました。チップ・セットは、制御（コントロール）用パワーＭＯＳＦＥＴの「ＩＲＦ６７１２Ｓ」と同期整流（シンクロナス）用パワーＭＯＳＦＥＴの「ＩＲＦ６７１６Ｍ」の組み合わせです。２品種とも、ＩＲ社独自のパワーＭＯＳＦＥＴ技術「ＨＥＸＦＥＴ（Ｒ）」と小型金属パッケージ「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）」を採用した製品です。
ＩＲＦ６７１６Ｍは、オン抵抗がゲート・ソース間電圧１０Ｖのときに１．２ｍΩ、４．５Ｖのときに２．０ｍΩ（いずれも標準値）と低いのが特徴です。スイッチング周波数が高く、大電流出力のＤＣ－ＤＣコンバータの同期整流用パワーＭＯＳＦＥＴに最適です。中型のＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージを採用しており、面積は６．３ｍｍ×４．９ｍｍで、高さは０．７ｍｍです。
ＩＲＦ６７１２Ｓは、ゲート電荷が１３ｎＣ、ゲート・ドレイン間電荷が４．４ｎＣ（いずれも標準値）と低いのが特徴です。オン抵抗もゲート・ソース間電圧が１０Ｖのときに３．８ｍΩ、４．５Ｖのときに６．７ｍΩ（いずれも標準値）に押さえ込みました。小型のＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージを採用しており、面積は４．８ｍｍ×３．８ｍｍで、高さは０．７ｍｍです。従来、制御用にパワーＭＯＳＦＥＴ ２個を並列に使って大電流を扱えるようにしていた用途で、この製品１個に置き換えることが可能です。
サンプル価格はＩＲＦ６７１６Ｍが３４０円、ＩＲＦ６７１２Ｓが１６０円（いずれも税込み）の予定です。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）から入手できます。
＜特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）パッケージ技術＞
インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ）社が特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、標準のプラスチック・パッケージではこれまで実現できなかったまったく新しい設計上の利点を提供します。金属缶構造の採用により、表と裏の両面から放熱が可能なので、最新のマイクロプロセッサに電力を供給する高周波動作のＤＣ－ＤＣコンバータの電流処理能力を実質的に倍増できます。ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージを採用したデバイスは、欧州の規制ＲｏＨｓ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
以下、製品概要、用語説明などは添付資料をご参照ください。