ＩＲジャパン、照明用ＨＩＤランプのバラスト向けにフルブリッジ駆動ＩＣをサンプル出荷
インターナショナル・レクティファイアー
照明用ＨＩＤランプのバラスト（安定器）向け駆動ＩＣをサンプル出荷開始
～ フルブリッジ構成で耐圧６００Ｖ、自励発振器内蔵 ～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は１３日、一般照明や、野外の街路照明、プロジェクタなどの光源に使うＨＩＤ（高輝度放電管）ランプのバラスト（安定器）用に、自励発振器内蔵フルブリッジ（＊１）駆動ＩＣ「ＩＲＳ２４５３Ｄ」のサンプル出荷を開始しました。当社のハーフブリッジ駆動ＩＣ（ＩＲＳ２１５３Ｄ）２個を置き換えられます。
この駆動ＩＣは、ＩＲ社独自の新しい高耐圧ＩＣ製造技術を使っており、ハーフブリッジ回路２個（ハイサイド駆動回路２個とローサイド駆動回路２個）を集積しています。この製造技術によって、従来品に比べて、デバイスの特性、温度安定性、集積密度が向上しています。ハイサイド側の駆動回路がシリコン基板上でフローティング（回路が接地電圧から分離され、浮いている状態）になっており、最大６００Ｖのオフセット電圧を加えられます。
ＩＲＳ２４５３Ｄには、発振器（ＣＭＯＳ技術を使った「５５５」タイプ）を内蔵しており、抵抗とコンデンサを外付けするだけで発振周波数を設定できます。抵抗は１ｋΩ以上、コンデンサは３３０ｐＦ以上を使います。例えば抵抗値を７．１５ｋΩとすると、コンデンサの容量値によって、発振周波数は８８ｋＨｚ～１００ｋＨｚの範囲で設定できます。抵抗値が３６．５ｋΩのときは１９．６ｋＨｚ～２０．８ｋＨｚの範囲です。
これに対して、ハーフブリッジ回路を８ピンＳＯＰ（ＳＯ－８）に封止した駆動ＩＣを２個使ってフルブリッジを構成する方法では、２つのハーフブリッジ回路を駆動するのに別々の発振器が必要になります。この場合、許容値や温度によって起こるオン時間の変動によって、負荷にかかる電圧が不均衡になり、ＨＩＤランプの寿命を短くする場合があります。ＩＲＳ２４５３Ｄは、全温度範囲と全電源電圧範囲にわったって正確にマッチングするように、１つの発振器で２つのハーフブリッジ駆動回路を動作させることで、この問題に対処しています。
ＩＲＳ２４５３Ｄは、出力を遮断しなければならないとき、遮断命令の入力データをラッチするかしないかを選べます。クロック周期ごとの過電流、負荷の開放、短絡など、さまざまな保護機能を動作させる場合は、入力データをラッチして、再起動されるまで出力をロー・レベルに固定します。これに対して、ラッチしないと、出力を一時的にロー・レベルにできるので、消費電力を減らすためのパワー・マネジメント（電源管理）機能として使えます。外付け部品は不要です。
デッドタイム（＊２）は内部で生成し、標準値で１μｓです。クランプ用に電源（ＶＣＣ）と共通接地（ＣＯＭ）の間に１５．６Ｖのツェナ・ダイオードを内蔵しています。雑音耐性を高めるためにＵＶＬＯ（低電圧ロックアウト）機能にヒステリシスを持たせました。電源電圧が上昇するときのしきい電圧は１１．０Ｖ（標準値）、下降するときのしきい電圧は９．０Ｖ（標準値）で、ヒステリシスは標準値で２．０Ｖ、最小値で１．５Ｖです。始動時の電流は標準１４０μＡ。動作温度範囲は－２５℃～１２５℃。パッケージは１４ピンＤＩＰとＳＯＰを用意しました。このＩＣは、ＨＩＤランプで必要とされる低い周波数の交流電圧を駆動するように設計されていますが、蛍光灯のバラストや電源のような高い周波数の用途でも使えます。
サンプル価格は、１４ピンＤＩＰ封止品（ＩＲＳ２４５３ＤＰｂＦ）と１４ピンで幅４ｍｍのナローＳＯＰ封止品（ＩＲＳ２４５３ＤＳＰｂＦ）が各４００円、１４ピン・ナローＳＯＰのテープ・アンド・リール品（ＩＲＳ２４５３ＤＳＴＲＰｂＦ）が４２０円（いずれも税込み）の予定です。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（ｗｗｗ．ｉｒｆ－ｊａｐａｎ．ｃｏｍ）から入手できます。欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
＜用語説明＞
＊１）フルブリッジ回路： ハーフブリッジ回路２個を並列に構成したものがフルブリッジ回路です。直流を交流に変換するインバータ回路を構成するときの１つの回路方式です。ハーフブリッジ回路は、２つのゲート駆動回路と２つのスイッチング素子（トランジスタ）で構成します。
＊２）デッドタイム： ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴを同時にオフする期間のことです。ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴが同時にオンすると貫通電流が流れてＭＯＳＦＥＴが破壊されてしまうことがあるため、これを防止するために同時にオフする期間を作ります。なお、出力回路を２つのＭＯＳＦＥＴで構成した場合、上側のＭＯＳＦＥＴ（電流を供給する役割）をハイサイドＭＯＳＦＥＴ、下側のＭＯＳＦＥＴ（電流を吸い込む役割）をローサイドＭＯＳＦＥＴと呼びます。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ＩＲ社のホームページは www.irf.com 。
注：ＩＲ（Ｒ）はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。