ＳＩＣＡＳ、世界半導体生産能力統計の２００６年第３四半期（７－９月）の数値を発表
ＳＩＣＡＳ統計の２００６年第３四半期（７－９月）の数値公表
ＳＩＣＡＳ統計（世界半導体生産キャパシティ統計）の２００６年第３四半期（７－９月）の数値がまとまりましたので公表致します。生産能力の数字は断りのない限り８インチウエファー換算の数字です。
【 総 括 】
２００６年第３四半期（３Ｑ）のＩＣ合計（ＭＯＳ ＩＣ＋バイポーラ）の生産能力は１８１５．１千枚／週で前四半期（２００６年２Ｑ）の１７４４．４千枚／週から＋４．１％増加した。前期比伸長率は２００５年４Ｑに＋３．５％、２００６年１Ｑに＋４．２％、２Ｑに＋２．４％、３Ｑに＋４．１％と堅調に増加した。 なお、３Ｑの前年同期比伸長率は＋１４．９％であった。
【 概 要 】
１．生産能力
ＭＯＳ ＩＣの第３四半期（３Ｑ）の生産能力は、１７３０．４千枚／週で前四半期（２００６年２Ｑ）の１６６０．４千枚／週から＋４．２％増加した。前年同期比伸長率は、＋１６．７％であった。
３Ｑのミクロン別の生産能力前期比伸長率は、０．７ミクロン以上が－４．５％、０．３ミクロン以上０．４ミクロン未満が－２．９％、０．１６ミクロン以上０．２ミクロン未満が－９．２％と減少傾向がみられる一方、０．４ミクロン以上０．７ミクロン未満が＋２．５％、０．２ミクロン以上０．３ミクロン未満が＋３．４％と伸張した。ＳＩＣＡＳでは２００５年１Ｑから０．１６ミクロン未満を「０．１２ミクロン以上０．１６ミクロン未満」と「０．１２ミクロン未満」に細分したが、３Ｑの０．１２ミクロン以上０．１６ミクロン未満は２８８．８千枚／週で前期比伸長率－０．６％、０．１２ミクロン未満は６３４．７千枚／週で前期比伸長率＋１７．１％であった。全体としては、特に０．１２ミクロン未満のプラス伸長が顕著であった。
２．稼働率
ミクロン別の３Ｑの稼働率は、０．７ミクロン以上が８４．０％（前期比－２．０ポイント）、０．４ミクロン以上０．７ミクロン未満が８６．５％（同－２．７ポイント）、０．３ミクロン以上０．４ミクロン未満が８３．４％（同＋１．０ポイント）、０．２ミクロン以上０．３ミクロン未満が８８．４％（同－２．１ポイント）、０．１６ミクロン以上０．２ミクロン未満が８１．０％（同－５．７ポイント）、０．１２ミクロン以上０．１６ミクロン未満が９０．６％（同－６．８ポイント）、０．１２ミクロン未満が９４．３％（同－２．６ポイント）であった。この結果ＭＯＳ計の稼働率は２Ｑの９１．８％から－２．７ポイント下降して、８９．１％となった。これにより、２００５年３Ｑ以来４四半期連続して９０％以上の高稼働率を示していたものが、今期（３Ｑ）は、若干９０％を下回る結果となった。
３．ファンダリー・ウェハの生産能力
ＭＯＳ計に占めるファンダリー・ウェハの生産能力（３Ｑ）は、２８９．４千枚／週であり、２Ｑに対して前期比＋３．２％の伸長を示した。３Ｑの稼働率は、９１．５％であり、２Ｑから２．８ポイント下降した。
４．まとめ
ＭＯＳ計に占める８インチウェハの生産能力は、１０４５．５千枚／週であり、２Ｑに比べ＋２．３％増加した。ＳＩＣＡＳでは２００４年１Ｑから１２インチ（３００ｍｍ）ウェハの統計を集計しているが、２００６年３Ｑの生産能力は、８インチ換算で４８０．６千枚／週 （１２インチ実枚数では２１３．６千枚／週）と２Ｑから＋１７．８％の伸張を示し、稼働率は８７．９％（前期比－８．８ポイント）であった。生産能力が高いレベルで伸張を示しているのが注目される。（諸データの詳細は別添をご参照ください。）
【 データ収集 】
ＳＩＣＡＳに参加しているＩＣメーカは、年４回、四半期毎に、そのＩＣ生産能力と実投入数を地域別に委託した第三者のデータ集計機関に提出し、そこで集計された数値は最後に中央集計機関によりまとめられ、世界計の集計データとなり発表されます。
データの秘密保持のため、会員を含むいかなる関係者（データ集計機関を除く）も、公表される「世界計のデータ」以外を知り得ない仕組みとなっています。
参加会員は、各々自社の世界全体の生産能力と実投入数を連結ベースで把握し報告しますが、他のＩＣメーカに生産委託している部分は含みません。生産能力・実投入数のいずれもウェハ枚数を単位とし、集計期間内の総数を週当たりの平均値に換算し「千枚／週」の単位で報告します。報告方法は、以下のとおりです。
（１）半導体合計＝ＩＣ合計＋デイスクリート合計
（２）ＩＣ合計＝ＭＯＳ ＩＣ＋バイポーラＩＣの体系となります。（＊インチ換算にご注意ください。）
ＭＯＳ ＩＣは、加工精度により０．７ミクロン以上、０．４ミクロン以上０．７ミクロン未満、０．３ミクロン以上０．４ミクロン未満、０．２ミクロン以上０．３ミクロン未満、０．１６ミクロン以上０．２ミクロン未満、０．１２ミクロン以上０．１６ミクロン未満、および０．１２ミクロン未満に分けて８インチウェハの枚数に換算、バイポーラＩＣは加工精度の分類はなく、５インチウェハの枚数に換算。またＭＯＳ ＩＣ生産能力のうち８インチウェハと１２インチウェハの生産能力および実投入数のデータも併せて集計。また生産能力については、１年＝５２週、１週＝７日、１日＝２４時間の稼動を前提とします。
【 組織概要 】
ＳＩＣＡＳは、世界の５業界団体（ＥＥＣＡ、ＪＥＩＴＡ、ＫＳＩＡ、ＳＩＡ、ＴＳＩＡ）注１の支援の下に、１９９４年に活動を開始し、現在世界の主要半導体メーカ４１社が会員として参加しています。
ＳＩＣＡＳの運営組織は、会員から選出された代表者で構成されており、現在、事務局はオランダに設置されています。
ＳＩＣＡＳへの参加は任意であり、いかなる半導体メーカ（５つの支援業界団体のどれにも属さないメーカも含む）に対してもオープンです。四半期毎に公表されるＳＩＣＡＳ統計は、参加会員だけでなく誰にでも入手可能であり、前述の５業界団体から入手できます。また、ＳＩＣＡＳ統計は、全ての過去データを含め以下のＷｅｂサイト（http://www.sicas.info/）でご覧になることができます。
なお、日本地域の運営組織として、ＳＩＣＡＳ Ｊａｐａｎが１９９５年１月に設立され、２００６年４月からは、ＪＥＩＴＡ傘下でＳＩＣＡＳ小委員会として活動しております。
ＳＩＣＡＳ統計は、世界のＩＣ生産能力とその稼動実績に関する信頼に足る情報をタイムリーに提供するものであり、このような情報は、ＩＣ製造設備の急速な技術革新やＩＣ技術に対応し、各世代毎に必要な設備投資額が増加していることなどを考えると、半導体及び関連産業にとって有用な参考情報であると考えられます。
（注１）
・ＥＥＣＡ：Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（欧州電子部品工業会）
・ＪＥＩＴＡ：Ｊａｐａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（電子情報技術産業協会）
・ＫＳＩＡ：Ｋｏｒｅａ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（韓国半導体産業協会）
・ＳＩＡ ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（ｏｆ ｔｈｅ ＵＳ）（米国半導体工業会）
・ＴＳＩＡ：Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（台湾半導体産業協会）