ＩＲジャパン、力率改善回路を内蔵した蛍光灯用バラスト制御ＩＣをサンプル出荷
インターナショナル・レクティファイアー
力率改善（ＰＦＣ）回路内蔵の蛍光灯用バラスト（安定器）制御ＩＣをサンプル出荷
～ 定格６００Ｖ、各種保護機能を内蔵 ～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は６日、力率改善（ＰＦＣ）回路を内蔵した蛍光灯のバラスト（安定器）制御ＩＣ「ＩＲＳ２１６６Ｄ」のサンプル出荷を開始しました。内蔵したＰＦＣ回路は、電源高調波のガイドラインを満たしています。定格は６００Ｖです。
ＩＲＳ２１６６Ｄは、ＰＦＣ回路、バラスト制御回路、ハーフブリッジ（＊１）駆動回路を内蔵したモノリシックＩＣです。ＰＦＣ回路は臨界導通モードで動作し、力率は０．９９、全高調波歪率（ＴＨＤ）は１０％以下、直流バス電圧の安定化精度は±２．５％以下です。ハーフブリッジの過電流、デッドタイム（＊２）、予熱時間、予熱／動作周波数、ランプ寿命などの保護機能を備え、設計時にパラメータを設定可能です。このほか、衝撃によるランプ故障、フィラメント故障、直流バス電圧の低電圧ロックアウト（ＵＶＬＯ）の保護機能があります。ＵＶＬＯモード時の静止電流は標準値で２５０μＡ。ブートストラップ回路や直流電源（ＶＣＣ）のツェナー・ダイオード・クランプ（１５．６Ｖ）を内蔵しています。
このＩＣは、高電圧のレベルシフト機能に加え、電気的ストレスの保護と高い信頼性を提供する絶縁技術を採用したＩＲ社の最新高耐圧ＩＣ技術を使って製造されています。
サンプル価格は、１６ピンのＤＩＰ品（ＩＲＳ２１６６ＤＰｂＦ）とＳＯＰ品（ＩＲＳ２１６６ＤＳＰｂＦ）が３２０円、テープ・アンド・リールのＩＲＳ２１６６ＤＳＰｂＦが３３０円（いずれも税込み）の予定です。欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。評価基板（ＩＲＬＬＮＲ７）を用意しています。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（ｗｗｗ．ｉｒｆ－ｊａｐａｎ．ｃｏｍ）から入手できます。
＜用語説明＞
＊１）ハーフブリッジ：直流を交流に変換するインバータ回路を構成するときの１つの回路方式です。２つのゲート駆動回路と２つのスイッチング素子（ここではハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴ）で構成します。ハーフブリッジ回路２個を並列に構成したものがフルブリッジ回路です。
＊２）デッドタイム：ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴを同時にオフする期間のことです。ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴが同時にオンすると貫通（シュートスルー）電流が流れてしまうため、これを防止するために同時にオフする期間を作ります。出力回路を２つのＭＯＳＦＥＴで構成した場合、上側のＭＯＳＦＥＴ（電流を供給する役割）をハイサイドＭＯＳＦＥＴ、下側のＭＯＳＦＥＴ（電流を吸い込む役割）をローサイドＭＯＳＦＥＴと呼びます。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ＩＲ社のホームページは www.irf.com 。
注：ＩＲ（Ｒ）はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。