ＩＲジャパン、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ採用の耐圧１５０ＶのパワーＭＯＳＦＥＴを出荷開始
インターナショナル・レクティファイアー
ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ採用の耐圧１５０ＶのパワーＭＯＳＦＥＴを出荷開始
～ ３６Ｖ～７５Ｖ入力の通信機器用ＤＣ－ＤＣコンバータに最適 ～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は１月１０日、ＩＲ社独自の小型金属パッケージ「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）」に収めた耐圧１５０ＶのＨＥＸＦＥＴ（Ｒ）パワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ６６４３ＴＲＰｂＦ」のサンプル出荷を開始しました。用途は、広い入力電圧範囲（３６Ｖ～７５Ｖ）で動作する通信機器用絶縁型ＤＣ－ＤＣコンバータ（＊１）などです。
最大ドレイン電流は３５Ａ（パッケージ温度２５℃のとき）です。オン抵抗（内部抵抗）は標準値で２９ｍΩ、最大値で３４．５ｍΩと低く、ゲート電荷も標準３９ｎＣ、最大５５ｎＣ（いずれもゲート・ソース間電圧１０Ｖのとき）に減らしています。
ＩＲＦ６６４３ＴＲＰｂＦは、導通損失とスイッチング損失の両方を減らすために、オン抵抗やゲート電荷だけでなく、パッケージのインダクタンス分も最小化しました。この製品に使ったＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、表面実装パッケージの８ピンＳＯＰ（ＳＯ－８）と同じ面積（４．９ｍｍ×６．３ｍｍ）で、高さが０．７ｍｍと低いという特徴があります。
サンプル価格は３３０円（税込み）の予定です。テープ・アンド・リールの形態で出荷します。ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ製品をプリント基板に実装するときのアプリケーション・ノートは www.irf-japan.com/technical-info/appnotes/AN-1035.pdf にあります。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（ www.irf-japan.com ）にあります。
＜特許を取得済みのＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）パッケージ技術＞
インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ）社が特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、標準のプラスチック・パッケージでは実現できなかった新しい設計上の利点を提供します。金属缶構造の採用によって両面放熱が可能なので、最新マイクロプロセッサに電力を供給する高周波動作のＤＣ－ＤＣコンバータの電流処理能力を実質的に倍増できます。また、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージを採用したデバイスは、欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。耐圧１００Ｖ以上のＤｉｒｅｃｔＦＥＴでは、すでに１００Ｖ品（ＩＲＦ６６４４、ＩＲＦ６６４５、ＩＲＦ６６５５、ＩＲＦ６６６２、ＩＲＦ６６６５）と２００Ｖ品（ＩＲＦ６６４１）を製品化しています。
＜用語説明＞
＊１）絶縁型ＤＣ－ＤＣコンバータ：
入力と出力が絶縁されたＤＣ－ＤＣコンバータです。絶縁にはトランスなどの絶縁部品を使います。このとき、トランスから見て入力側を１次側、出力側を２次側と呼びます。ＤＣ－ＤＣコンバータは直流電圧を直流電圧に変換する回路です。出力回路をハーフブリッジ構成にした場合、制御（コントロール）用のＭＯＳＦＥＴと同期整流（シンクロナス）用のＭＯＳＦＥＴを組み合わせて構成します。制御用ＭＯＳＦＥＴには、スイッチング損失を小さくするためにゲート電荷を小さくすることが要求されます。一方、同期整流用ＭＯＳＦＥＴには、導通時のＭＯＳＦＥＴ自体の内部抵抗（オン抵抗）が小さいことが要求されます。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。
注：ＩＲ（Ｒ）、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）、ＨＥＸＦＥＴ（Ｒ）は、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの商標または登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。