ＳＴマイクロ、６５ｎｍプロセスによるマルチスタンダードＨＤＤの物理層ＩＰをサンプル出荷
ＳＴマイクロエレクトロニクスは、６５ｎｍプロセスによるマルチスタンダードＨＤＤの物理層ＩＰのサンプル出荷を開始
業界初の６５ｎｍプロセスによるＭＩＰＨＹマクロセルを、ＳＡＴＡアプリケーション用システム・オン・チップに集積
ＳＴマイクロエレクトロニクス（ http://www.st-japan.co.jp/ 、ＮＹＳＥ：ＳＴＭ、以下ＳＴ）は、次世代６５ｎｍプロセス技術を用いたシリアル・インタフェースＭＩＰＨＹ（Ｍｕｌｔｉ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ＰＨＹ）物理層インタフェースＩＰ（知的財産）の製造に業界で初めて成功したことを発表しました。ＳＴは、このマクロセルを他の機能とともに、モバイルＰＣおよびデスクトップＰＣなどをはじめとする３Ｇｂｐｓと６ＧｂｐｓのシリアルＡＴＡ（ＳＡＴＡ）ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）をサポートする低消費電力システム・オン・チップ（ＳｏＣ）デバイスに集積するように設計しました。
６５ｎｍ向けインタフェースの設計作業と検証が完了したことにより、ＳＴは今年中に６５ｎｍプロセスを用いたＳｏＣ製品を製造する準備が整いました。これらは、低消費電力とチップサイズ縮小のメリットをユーザに提供できるだけでなく、実績のあるＩＰにより、新製品の製品化までの時間が短縮され、新規にＡＳＩＣを開発するコストも低減できます。さらに、新しいマクロセルのマルチスタンダード機能（ＳＡＴＡ Ｇｅｎ１、Ｇｅｎ２およびＧｅｎ３）により、さまざまな市場に対応した、より迅速な設計検証が可能になります。また、ＨＤＤメーカーの技術リソースの最適化、コスト低減も図れると同時に大量生産におけるメリットをもたらします。
ＳＴのデータ・ストレージ部門ジェネラル・マネージャであるＲｏｂｅｒｔｏ Ｆａｎｔｅｃｈｉは、次のようにコメントしています。「ＳＴの方針は、技術開発の最先端に立ち、クラス最高のソリューションをユーザに提供することです。今回の業界初の６５ｎｍ ＭＩＰＨＹのリリースにより、最も急成長中のＨＤＤ分野向けに、ユーザが必要とする最適化ソリューションがまたここに提供されることになります。」
第４世代のＭＩＰＨＹは、ＳＴのＨＤＤ ＩＰ製品ポートフォリオの中で実績のあるＩＰと革新的技術とが組み合わさった非常に重要なＩＰブロックです。このデバイスは、９０ｎｍ ＰＨＹに対し大幅に改善されており、一世代前のＩＰと比較して３５％のダイ・サイズ縮小と３０％の消費電力低減を実現しています。イコライゼーションおよび送信受信回路のアーキテクチャをさらに改良することで、ジッタ許容範囲が拡大され、送信ジッタが低減されています。これらの利点は、携帯型およびコストを重視するデスクトップのハードディスク・ドライブ市場に直接的に利益をもたらすもので、高性能動作を最小の消費電力で実現することがシステム・メーカーにとって最も重要な差別化になります。
ＳＴは、この強化されたＭＩＰＨＹおよび次世代のリード・チャネルＩＰを含む６５ｎｍ ＩＰのポートフォリオを、戦略的パートナーと共に推進し、密接に協力し合いその要求に迅速に対応しながら、開発を進めてきました。そして、この度これらのブロックを次世代６５ｎｍ ＳｏＣに集積することを計画しています。
これらの物理層マクロセルにより、シリアライザ／デシリアライザが高速化されると共に、リンク層への２０ビット幅パラレル・インタフェースが提供されます。Ｓｅｒｉａｌ ＡＴＡアプリケーションでは、ホストやデバイスとして動作し、外部コンポーネントなしに外部信号を直接駆動できます。
このプレスリリースは以下のＵＲＬでもご覧いただけます：
http://www.st-japan.co.jp/data/press/t2171p.html
【 ＳＴマイクロエレクトロニクスについて 】
ＳＴマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品やソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。ＳＴは、他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、幅広いＩＰ（Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ）ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力との組合わせにより、ＳｏＣ（システム－オン－チップ）技術に関し世界的リーダーとしての地位を確立しています。またＳＴの半導体製品は、市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目を果たしています。ＳＴは、ニューヨーク証券取引所（ＮＹＳＥ：ＳＴＭ）、パリ証券取引所（Ｅｕｒｏｎｅｘｔ Ｐａｒｉｓ）とミラノ証券取引所に上場されています。
２００６年の売上は９８．５億ドルで、純利益は７億８２００万ドルでした。
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ＳＴ日本法人：http://www.st-japan.co.jp
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