フリースケール、高効率・大出力のＬＤＭＯＳ ＲＦパワー・トランジスターを開発
フリースケール、長年に渡って培われたＲＦ技術をベースに、
超高効率、大出力のＬＤＭＯＳ ＲＦパワー・トランジスタを開発
ＲＦ性能を大幅に改善し、産業、科学、および医療アプリケーション用アンプのコストを劇的に削減するデバイス
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社（本社：東京都目黒区下目黒１－８－１、代表取締役社長：高橋恒雄）は、２００７年６月３日から８日までホノルルで開催された２００７ ＩＥＥＥ ＭＴＴ－Ｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍにおいて世界最大出力のＬＤＭＯＳ ＲＦパワー・トランジスタ「ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨ」を発表しました。このＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨデバイスは、パルス信号、１３０ＭＨｚ動作時に１ｋＷものＲＦ出力を実現し、同クラス最高のドレイン効率とパワー・ゲインを実現しています。
この超高効率トランジスタは、長年に渡って産業、科学、および医療（ＩＳＭ）市場に革新的なＲＦパワー・ソリューションを提供し続けてきたフリースケールの最新の成果です。ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨは、５０Ｖで動作し、バイポーラおよびＭＯＳＦＥＴデバイスと比較して優れた特長を備えており、磁気共鳴画像（ＭＲＩ）システム、ＣＯ２レーザ、プラズマ発生器などのシステムに必要なパワーを供給することが可能です。
先例のないパワー・レベルで高ゲインを達成したことで、従来のデザインと比較して必要なパーツを７０％も削減します。このパーツ数の削減によってボード面積も大幅に削減され、製造が劇的に簡素化されるため、低コストのアンプが実現します。
フリースケールのＲＦディビジョン担当副社長兼ゼネラル・マネージャであるガビン・ウッズは次のように述べています。「ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨは、効率、出力、信頼性、そして設計の容易さにおいて、業界のベンチマークを塗り替えます。ＬＤＭＯＳ、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラを問わず、この性能を達成したＲＦパワー・デバイスは他にありません。フリースケールは、お客様がシステム性能の障壁を乗り越えられるように、今後もこの市場への革新的なデバイスの供給を続けます。」
１０～１５０ＭＨｚで動作するように設計されているこのトランジスタは、フリースケールの第６世代超高電圧（ＶＨＶ６）ＬＤＭＯＳ技術によって実現しました。また、このデバイスは、最大４５０ＭＨｚのＨＦ、ＶＨＦ、ＵＨＦ周波数で動作するＩＳＭアプリケーションのニーズに応えるべくフリースケールが２００６年６月に発表した、業界最先端の５０Ｖ ＶＨＶ６ ＬＤＭＯＳデバイス・ファミリの最新メンバーです。
ＡＢＩ Ｒｅｓｅａｒｃｈの半導体市場調査主任であるＬａｎｃｅ Ｗｉｌｓｏｎ氏は、次のように述べています。「フリースケールは、ＲＦ １ｋＷパルス制御出力レベルの壁を５０Ｖ ＬＤＭＯＳで打ち破りました。ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨの高ゲイン、高効率、低熱抵抗、および高い破壊大量はどれも印象的です。」
◆業界最大パワーのメリット
ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨがもたらす利点は、市場で最大出力を誇るＬＤＭＯＳ ＲＦトランジスタであるという点だけではありません。ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨは、あらゆる種類のＲＦパワー・デバイスのレベルを超える６５％のドレイン効率を実現しています。この高効率と２７ｄＢを超えるゲインとの組み合わせにより、アンプ・デザインが劇的に簡素化され、ゲイン・ブロック構成数、パーツ数、そして回路ボードの面積が大幅に削減されます。
通常、２ｋＷのパルス制御出力と４５ｄＢのゲインを必要とするアプリケーションのニーズにＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラ・デバイスで応えるためには、１５Ｗのプリドライバ、２個の１５Ｗドライバ、そして８個のファイナル・アンプを使用し、合計３つのステージと１１個のデバイスが必要になります。一方、ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨを利用すれば、わずか３個のデバイスだけで済みます。１０ＷのＬＤＭＯＳドライバと２個のＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨファイナル・アンプだけで、同じ出力と５０ｄＢの高ゲインを実現できます。
さらに、ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨで採用されている５０Ｖのバイアス電圧は、同じ出力レベルで高いインピーダンスを実現するため、アンプ回路との統合が容易になります。また、ＲｏＨＳ対応のエアキャビティ・パッケージが持つ熱抵抗は０．１３℃／Ｗ ＪＣ未満で測定されているため、効率的な熱管理とヒートシンクの小型化が実現します。ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨは、静電気（ＥＳＤ）保護回路を内蔵しているため、電子部品製造で一般的な対策以外、特別な対策は不要です。
◆ＬＤＭＯＳ技術
ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨは、フリースケールが２００６年６月に発表した業界最先端の５０Ｖ ＶＨＶ６ ＬＤＭＯＳデバイス・ファミリの最新メンバーです。すでに量産体制に入っている１０～４５０ＭＨｚ動作の製品としては、ＭＲＦ６Ｖ２０１０Ｎ（１０Ｗ ＣＷ、２４ｄＢゲイン、６２％効率）、ＭＲＦ６Ｖ２１５０Ｎ（１５０Ｗ ＣＷ、２５ ｄＢゲイン、６８％効率）、およびＭＲＦ６Ｖ２３００Ｎ（３００Ｗ ＣＷ、２５．５ｄＢゲイン、６８％効率）があります。
◆供 給
ＭＲＦ６ＶＰ１１ＫＨとサポート・リファレンス・デザインは、すでにフリースケールからサンプルの供給が開始されており、量産は２００７年第４四半期に開始される予定です。価格については、フリースケール・セミコンダクタ、お近くのフリースケール営業所、またはフリースケール製品の正規販売代理店にお問い合わせください。
【 フリースケール・セミコンダクタについて 】
フリースケール・セミコンダクタ・インクは、自動車用、民生用、産業用、ネットワーキングおよびワイヤレス・マーケット向け組込み用半導体のデザインと製造の世界的リーダーです。フリースケールは、テキサス州オースチンを本拠地に、世界３０カ国以上の国で、半導体のデザイン、研究開発、製造ならびに営業活動を行っています。フリースケールは世界的な大手半導体メーカーです。２００６年度の売上高は６４億ドル（ＵＳＤ）でした。詳細は、
http://www.freescale.com（英語）、または
http://www.freescale.co.jp/（日本語）をご覧ください。
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