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ニュースリリースのリリースコンテナ第一倉庫

ニュースサイトなど宛てに広く配信された、ニュースリリース(プレスリリース)、 開示情報、IPO企業情報の備忘録。 大手サイトが順次削除するリリースバックナンバーも、蓄積・無料公開していきます。 ※リリース文中の固有名詞は、発表社等の商標、登録商標です。 ※リリース文はニュースサイト等マスコミ向けに広く公開されたものですが、著作権は発表社に帰属しています。

2025'02.27.Thu
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2007'04.05.Thu

IRジャパン、導通抵抗が低い半導体リレー・モジュールをサンプル出荷

インターナショナル・レクティファイアー

導通抵抗が50ミリ・オームと低い半導体リレーをサンプル出荷開始

 
 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長)は11日、コンピュータ、コンピュータ周辺機器、電源やその分配、オーディオ機器、計測機器などに向けた半導体リレー(光電変換を利用したリレー)・モジュール「PVN012A」のサンプル出荷を開始しました。
 PVN012Aは、従来品と比べて、交流(または直流)をスイッチングするときの導通抵抗を半分の50ミリ・オームと低くし、デューティ比100%で最大負荷電流を37.5%大きくしたのが特徴です。パルス(サージ)の最大負荷電流も定格化しました。

 PVN012Aは、従来の電子機械式リレーと比べて、小さな実装面積、入出力間の高い絶縁性、バウンス・フリー(*1)動作、信頼性、安定な導通抵抗、大きな入力感度を提供できます。定格電圧は20Vで、単極(シングル・ポール)、ノーマリ・オープンです。
 GaAlAsのLED(発光ダイオード)と2つのHEXFET(R) MOSFETを内蔵しています。LEDの光で出力のスイッチ(MOSFET)を制御します。
 交流(または直流)をスイッチングするときは2つのMOSFETを直列接続します。この接続のときの導通抵抗(オン抵抗)は50ミリ・オーム、負荷電流は4.0Aです。直流だけをスイッチングするときに2つのMOSFETを並列接続 すると、オン抵抗は15ミリ・オーム、負荷電流は6.0Aとなります。入出力間の絶縁電圧は交流の実効値で4000Vです。
 パッケージの大きさは8.4mm×6.4mm。サンプル価格は、挿入実装用の6ピンDIPが980円、表面実装用の6ピン・パッケージは990円、表面実装品をテープ・アンド・リールの形態で提供した場合は1000円(いずれも税込み)の予定です。欧州の規制RoHS(特定物質の使用規制)vvvに準拠しています。データシートと画像データはIRジャパンのホームページ( www.irf-japan.com )にあります。

< 用語説明 >
 *1)接点バウンス:リレーをオン/オフしたときに振動して、間欠的にオン/オフを繰り返してしまう現象です。


< インターナショナル・レクティファイアー(IR(R))社について >
 IR社はパワー・マネジメント(電源管理)技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル混在IC、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国のカリフォルニア州エルセグンド。

注:IR(R)、HEXFET(R)はInternational Rectifier Corporationの登録商標です。
  当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。

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