英ＡＲＭと台湾ＵＭＣ、６５ｎｍテクノロジー向けの包括的なＳＯＩソリューションで提携
ＵＭＣとＡＲＭ、６５ｎｍテクノロジー向けの包括的なＳＯＩソリューションで提携
ＵＭＣの６５ｎｍ ＳＯＩプロセスでＡＲＭ ＳＯＩライブラリを使用したテストチップのテープアウトに成功
英ＡＲＭ社（本社：英国ケンブリッジ、日本法人：横浜市港北区、代表取締役社長：西嶋貴史、以下ＡＲＭ）とユナイテッド・マイクロエレクトロ二クス・コーポレーション（本社：台湾、ＣＥＯ、ジャクソン・フー、以下ＵＭＣ）は、ＵＭＣの６５ナノメートル（ｎｍ）ＳＯＩプロセスでＡＲＭ（ｒ） ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）ライブラリを組み込んだテストチップのテープアウトに成功したと発表しました。このテストチップは、スタンダードセル・ライブラリ、Ｉ／Ｏライブラリ、シングルポートＳＲＡＭメモリコンパイラを使用したＡＲＭフィジカルＩＰ群で構成されます。ＵＭＣでのテープアウトは、複雑なシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）の速度と消費電力を改善するナノメートルＳＯＩテクノロジーの主流化に向けた前進を示しています。
米Ｓｅｍｉｃｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社は、半導体チップの性能がバルクＣＭＯＳのレベルを引き上げていると認識しています。同社の社長であるＪｉｍ Ｆｅｌｄｈａｎ氏は、次のように述べています。「高性能チップは、ＳＯＩの最善の将来性を約束するものです。今や携帯機器は、ＳＯＩテクノロジーにより実現できる優れた速度と消費電力を活用する高性能なオーディオ／ビデオプラットフォームへと急速に進化しつつあります。同様に高性能なコンピューティング、通信、ネットワークアプリケーションも、今後数年でＳＯＩテクノロジーの最適な対象となるでしょう。当社は、６５、４５ｎｍのＳＯＩに投資する企業が、３２ｎｍの市場でも成功する可能性が高いと考えています。ＡＲＭとＵＭＣのＳＯＩへの進出は重要な前進です。これは、台湾のファウンドリのＳＯＩテクノロジーに対する本格的な取り組みを示すものであり、ファブレス半導体企業や統合デバイスメーカ（ＩＤＭ）にとって市場での選択肢を増やすことになるからです。」
ＵＭＣは長年、ＳＯＩテクノロジーを開発してきましたが、今回の取り組みは２００６年１月、仏ＳＯＩＳＩＣ社との提携から始まりました。ＡＲＭは、２００６年１０月、ＳＯＩＴＥＣとの提携およびＳＯＩＳＩＣ社の買収後にこの提携を引き継ぎ、バルクＣＭＯＳプロセス向けの充実したフィジカルＩＰ製品群と並んでＳＯＩライブラリの提供を始めました。ＵＭＣが既存の６５ｎｍのバルクＣＭＯＳ「Ｌ６５ＳＰ」のＳＯＩバージョンを開発するのを助け、ＡＲＭは、デザインルール、デバイスの電気的キャラクタリゼーション、回路シミュレーションのためのモデリングを含め、プロセスの開発とクオリフィケーションに必要なモジュールを提供しました。こうして生まれたＬ６５ＳＯＩプロセスは、公称１Ｖのマルチ閾値型薄ゲート酸化膜トランジスタ、Ｉ／Ｏ用の公称２．５Ｖの厚ゲート酸化膜トランジスタ、公称１Ｖの０．６２平方ミクロン６トランジスタ型ＳＲＡＭビットセルに対応しています。現在、完全なプロセス・デザイン・キットを準備し、顧客対応が可能です。
ＵＭＣのコーポレートマーケティング担当副社長であるＬｅｅ Ｃｈｕｎｇ氏は、次のように述べています。「当社は、このパートナーシップの成果を非常にうれしく思っています。おかげで当社は、ファウンドリとして初めて、総合的な６５ｎｍ ＳＯＩソリューションを開発し、提供することができました。当社は、設計サポート側からのＳＯＩにおけるＡＲＭの優れた専門知識、そして当社の量産型６５ｎｍプロセスを生かし、このＳＯＩプロセスを短期間で開発、市場化することができました。この魅力的な技術をファウンドリのお客様に提供することを楽しみにしています。」
このテストチップに採用されているＡＲＭのスタンダードセルはマルチＶｔ、マルチ電源の設計に対応し、入出力は３．３Ｖの信号を許容、メモリコンパイラは高速と低消費電力に最適化されています。初期回路解析では、６５ｎｍのバルクＣＭＯＳで同じ性能に達するよう生産された部品に比べ、設計の面積が２０％、消費電力が３０％縮小されています。ＳＯＩテクノロジーは、バルクＣＭＯＳに比べ、消費電力を１０％削減しつつ最大２８％の速度向上も実現します。
ＡＲＭのフィジカルＩＰマーケティング担当副社長であるＴｏｍ Ｌａｎｔｚｓｃｈは、次のように述べています。「現在の市場には、ＳＯＩテクノロジーの提供する性能に対してＩＤＭからの強い需要があります。当社は、ＵＭＣを通じて提供されるこの新しいプロセスにより、大手ファブレス半導体設計企業がＳＯＩテクノロジーを評価し、試験プロジェクトを開始することを期待しています。次の段階は、製品群を増やし、さらに高度なプロセスノードに対応し、バルクＣＭＯＳにおける製品群と同じ完全なファウンドリプログラムを導入することです。」
■ＵＭＣ社概要
ＵＭＣは半導体業界の主要製品を網羅するあらゆるアプリケーション向けに最先端プロセスＩＣを製造する、世界的なリーディング半導体ファウンドリです。ＵＭＣは９０ｎｍ銅配線、０．１３ｕｍ銅配線、ミックスシグナル／ＲＦＣＭＯＳなど、高性能システム・オン・チップ（ＳｏＣ）設計を可能にする先進的なファウンドリ技術を提供します。また、３００ｍｍウェハ製造におけるリーダーでもあり、台湾のＦａｂ １２ＡとシンガポールにあるＦａｂ １２ｉでは、さまざまなカスタマー製品を量産しています。世界中で約１３，０００名以上の従業員を抱え、台湾、日本、シンガポール、ヨーロッパ、米国にオフィスを構えています。ＵＭＣの詳細情報については、Ｗｅｂサイトをご覧ください。（http://www.umc.com）
■ＡＲＭ社概要
ＡＲＭは、ワイヤレス、ネットワーク、デジタル家電、イメージング、自動車、セキュリティ、そしてストレージ機器といった高度なデジタル製品のコアとなる技術をデザインしています。ＡＲＭが提供する総合的な製品・ＩＰ（知的財産）には、１６／３２ ビット組込みＲＩＳＣ マイクロプロセッサ、データエンジン、グラフィック プロセッサ、デジタルライブラリ、組み込みメモリ、ペリフェラル、ソフトウェア、開発ツールならびにアナログ機能や高速インタフェース製品が含まれます。ＡＲＭ は、ＡＲＭの幅広いパートナーコミュニティと共に、信頼性の高い製品を迅速に市場へ投入するためのトータルシステムソリューションを、大手エレクトロニクス企業に提供しています。ＡＲＭについて詳しくは当社Ｗｅｂサイトをご覧ください。（http://www.jp.arm.com/）
※ＡＲＭはＡＲＭ社の登録商標です。その他のブランドあるいは製品名は全て、それぞれのホールダーの所有物です。「ＡＲＭ」とは、ＡＲＭ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ｐｌｃ、その事業会社であるＡＲＭ Ｌｉｍｉｔｅｄ、各地域の子会社であるＡＲＭ ＩＮＣ．、ＡＲＭ ＫＫ、ＡＲＭ Ｋｏｒｅａ Ｌｔｄ．、ＡＲＭ Ｔａｉｗａｎ、ＡＲＭ Ｆｒａｎｃｅ ＳＡＳ、ＡＲＭ Ｃｏｎｓｕｌｔｉｎｇ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｃｏ．Ｌｔｄ．、ＡＲＭ Ｂｅｌｇｉｕｍ Ｎ．Ｖ．、ＡＸＹＳ Ｄｅｓｉｇｎ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｉｎｃ、ＡＸＹＳ ＧｍｂＨ、ＡＲＭ Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｐｖｔ．Ｌｔｄ．、ＡＲＭ Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＩＰ，Ｉｎｃ．およびＡＲＭ Ｎｏｒｗａｙ，ＡＳの全部または一部を意味します。