ＩＲジャパン、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ採用の耐圧２００ＶのパワーＭＯＳＦＥＴをサンプル出荷
インターナショナル・レクティファイアー
ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ採用の耐圧２００ＶのパワーＭＯＳＦＥＴを出荷開始
～３６Ｖ～７５Ｖ入力のＤＣ－ＤＣコンバータに最適～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は１５日、ＩＲ社独自の小型金属パッケージ「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ(Ｒ)」に収めた耐圧２００ＶのＨＥＸＦＥＴ(Ｒ)パワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ６６４１ＴＲＰｂＦ」のサンプル出荷を開始しました。
この製品は、広い入力電圧範囲（３６Ｖ～７５Ｖ）で動作する絶縁型ＤＣ‐ＤＣコンバータ（＊１）向けに設計されています。このほか、４８Ｖ入力の通信用サーバーやコンピュータで使う大電流出力のＡＣ－ＤＣコンバータの同期整流や、ＤＣモーター駆動などでも使えます。
オン抵抗（内部抵抗）は標準値で５１ｍΩ、最大値で５９．９ｍΩと低く、ゲート電荷も標準３４ｎＣ（いずれもゲート・ソース間電圧１０Ｖのとき）に減らしています。
ＩＲＦ６６４１ＴＲＰｂＦは、導通損失とスイッチング損失の両方を減らすために、オン抵抗、ゲート電荷、パッケージのインダクタンス分を最小化しました。この製品に使ったＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、表面実装パッケージの８ピンＳＯＰ（ＳＯ－８）と同じ面積（４．９ｍｍ×６．３ｍｍ）で、高さが０．７ｍｍと低いという特徴があります。最大ドレイン電流は２６Ａ（パッケージ温度が２５℃のとき）。現在、２～３個のＳＯ－８品を使っている用途で、１個のＩＲＦ６６４１ＴＲＰｂＦに置き換えることが可能です。２次側の同期整流回路に同じ数のＳＯ－８品とＩＲＦ６６４１ＴＲＰｂＦを使ったときの効率を比較すると、０．４％改善できます。
サンプル価格は３３０円（税込み）の予定です。テープ・アンド・リールの形態で出荷します。ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ製品をプリント基板に実装するときのアプリケーション・ノートはwww.irf-japan.com/technical-info/appnotes/AN-1035.pdfにあります。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（www.irf-japan.com）にあります。
＜特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴ(Ｒ)パッケージ技術＞
インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ）社が特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、標準のプラスチック・パッケージでは実現できなかった新しい設計上の利点を提供します。金属缶構造の採用によって両面放熱が可能なので、最新のマイクロプロセッサに電力を供給する高周波動作のＤＣ－ＤＣコンバータの電流処理能力を実質的に倍増できます。また、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージを採用したデバイスは、欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
＜用語説明＞
＊１）絶縁型ＤＣ－ＤＣコンバータ：入力と出力が絶縁されたＤＣ－ＤＣコンバータです。絶縁にはトランスなどの絶縁部品を使います。このとき、トランスから見て入力側を１次側、出力側を２次側と呼びます。ＤＣ－ＤＣコンバータは直流電圧を直流電圧に変換する回路です。出力回路をハーフブリッジ構成にした場合、制御（コントロール）用のＭＯＳＦＥＴと同期整流（シンクロナス）用のＭＯＳＦＥＴを組み合わせて構成します。制御用ＭＯＳＦＥＴには、スイッチング損失を小さくするためにゲート電荷を小さくすることが要求されます。一方、同期整流用ＭＯＳＦＥＴには、導通時のＭＯＳＦＥＴ自体の内部抵抗（オン抵抗）が小さいことが要求されます。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ(Ｒ)）社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。
注：ＩＲ(Ｒ)、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ(Ｒ)、ＨＥＸＦＥＴ(Ｒ)は、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの商標または登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。